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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT是新能源汽車電機控制系統的核心器件,約占電機驅動系統成本的一半,而電機驅動系統占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,...
隨著世界各地的電力消耗持續增長,高電壓技術領域的創新讓設計工程師能夠開發出更高效的解決方案,使電氣化和可再生能源技術更易于使用。
日前中微半導體(深圳)股份有限公司(股票代碼688380,以下簡稱“中微半導”)受邀出席同期的2022電源行業配套品牌頒獎晚會,并憑借功率器件優異市場表...
變頻器電源主要用于交流電機的變頻調速,其在電氣傳動系統中占據的地位日趨重要,已獲得巨大的節能效果。變頻器電源主電路均采用交流-直流-交流方案。工頻電源通...
封裝結構的創新使得雙面散熱(double-sided cooling, DSC)功率模塊比傳統單面散熱(single-sided cooling, SS...
2023年2月26日上午,上海林眾電子科技有限公司智能質造中心項目基地開工儀式隆重舉行。林眾電子本次建設的智能質造中心項目位于上海市松江區,土建投資3....
超聲波焊接電源系統發生器采用新型的復合頻率跟蹤策略,實現逆變輸出功率因數接近為1,以IGBT功率器件構成的全橋移相功率控制方式,超聲波焊接電源系統發生器...
近年全球IGBT業者產能增長情況,依中國與國際業者分為兩個階段,2021~2023年由中國業者主導,在IGBT芯片自給率低,急需國產替代的趨勢下。
? 翠展微電子 全面加強體系建設; 繼往開來?開拓進取?奮勇爭先 ? ? ? 據DIGITIMES Research統計與分析,2022年IGBT因電動...
上能電氣+安森美聯合實驗室揭牌圍繞半導體器件應用展開高水平合作
2月22日,上能電氣與安森美半導體(onsemi)聯合實驗室揭牌成立。安森美亞太區高級副總裁David Chow、中國區銷售副總裁Roy Chia,上能...
IGBT是什么材料 IGBT的主要材料有外部為封裝用的陶瓷;內部件是銀絲、黃金鍍膜和透明硅膠等。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)...
2023-02-22 標簽:IGBT 6098 0
1700V是IGBT的主流電壓等級之一,廣泛應用于風力發電、無功補償(SVG)、智能電網,以及中高壓變頻器等領域。
國產功率器件供應商無錫新潔能榮獲寧波德業年度“戰略供應商”稱號
近日,無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業年度“戰略供應商”稱號。 在過去的一年中,新潔能憑借優秀的產品質量、先進的產品技術水平、穩定的產能和交付周期與寧波德...
按技術特點與功能的不同,功率半導體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過70%...
什么是IGBT IPM(Intelligent Power Module)?
本文的關鍵要點?IPM是“Intelligent Power Module”的縮寫,IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件單體(分立產品)與驅動電...
IGBT單管是一種N溝道增強絕緣柵雙極晶體管結構,N+區稱為源極區,連接到其上的電極稱為源極區。P+區域稱為漏極區。器件的控制區域是柵極區域,連接到...
通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性-什么是雙脈沖測試?
我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中,我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反...
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