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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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隨著國外IGBT產品供應不足,交期一再拉長,國內客戶除了下全款訂單等待產品的同時,也正在逐步接受國產IGBT,培養二供,給國內IGBT廠商帶來了新機會。
2023年中國新型功率半導體器件(IGBT)產業鏈上中下游市場分析
IGBT作為一種新型功率半導體器件,是工業控制及自動化領域的核心元器件,其作用類似于人類的心臟,能夠根據裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、...
青銅劍技術適配PrimePACK?封裝IGBT模塊雙通道2QP0320Txx-CN
隨著社會經濟的發展,綠色環保議題備受船舶工業等行業關注,船舶對節能減排要求不斷提高。變頻技術是船舶工業重要且極具潛力的節能手段,而功率器件及配套驅動器是...
英飛凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同級最佳效能
英飛凌科技發表新一代薄晶圓技術IGBT TRENCHSTOP 5 系列產品,其導通損失和切換損失均遠低于目前的領導解決方案。透過這項突破性的產品,英飛...
英飛凌推出采用TO-247封裝的TRENCHSTOP? IGBT7技術
TRENCHSTOP IGBT7器件具有優異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關損耗。
2020年度上海市科學技術獎勵大會于2021年12月1日舉行,華虹集團旗下華虹宏力“絕緣柵雙極型晶體管工藝技術開發”項目榮獲上海市科技進步一等獎。
目前西安誼邦電子科技提供的該項新產品采用模塊式功放結構, 主極電流100A,200A,400A/500A/1000A/1250A可選, 2500A/50...
該兩款IGBT模塊采用光伏逆變市場的典型應用拓撲,模塊結構緊湊、性能高效,適用于各類光伏逆變器,如光伏逆變和儲能等。與行業同類產品相比,溫升更低、可靠性更高。
來源:羅姆半導體社區? 本文研究了逆變器核心開關器件IGBT主要參數的選擇, 分析三相逆變電路拓撲及功率器件IGBT的應用特點,根據其特點選擇合適額定電...
由綜合放大電路板(ZHFD)產生的輸出信號被送入SG3526,產生PWM脈沖,此信號與反饋信號進行邏輯運算后送入HL403B厚膜驅動器,當IGBT產生過...
2009-07-27 標簽:IGBT 2376 0
關于先藝電子 廣州先藝電子科技有限公司創立于2008年12月,是集先進封裝連接材料的研發、生產、銷售于一體的國家高新技術企業,是國內知名的微組裝材料解決...
德國慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/ OTCQX:IFNNY)近日推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT。...
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