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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      2023-02-09 標簽：二極管MOSFETIGBT 726 0

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      2023-02-08 標簽：新能源IGBT充電樁 616 0

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      IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化d...

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      2023-02-07 標簽：MOSFETIGBT功率晶體管 1594 0

      瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM

      RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。

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      IGBT模塊上下橋怎么區分

      IGBT模塊上下橋怎么區分 igbt模塊為什么做成上下橋在一起？因為IGBT在工作時由于他和整流橋的電流很大發熱量也非常大所以需要裝在一塊大的散熱片上來...

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      igbt電氣符號圖 igbt電氣符號圖是指用于各種設備上，作為操作指示或用來顯示設備的功能或工作狀態的圖形符號，例如：電氣設備用圖形符號、紡織設備用圖形...

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