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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,可將直流電壓逆變成頻率可調的交流電,是目前最有前景...
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相較于現有的400V系統,800V系統的推出是一大進步,并且其推出速度比許多人預期的要快。800V系統有何優勢?它們如何幫助解決一些對消費者構成障礙并減...
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