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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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今天開關的選擇多種多樣:IGBT 因其低傳導損耗而在非常高的功率下受到青睞,而 MOSFET 在中低功率下占主導地位,其快速開關可最大限度地減少相關組件...
2022年功率晶體管銷售額有望增長11%,預計達245億美元
功率晶體管市場預計將在 2024 年開始另一個增長周期,到 2026 年,年銷售額將穩步增長,達到 289 億美元,復合年增長率 (CAGR) 有望達到...
圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構,N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道...
1ED3120MU12H單通道隔離型柵極驅動器的優勢及應用范圍
EiceDRIVERCompact單通道隔離型柵極驅動器,具備5.5 A典型灌電流和拉電流峰值輸出,采用DSO-8寬體封裝,爬電距離大(>8 mm...
電動汽車充滿了需要電力的電子設備,從牽引逆變器到車載充電器和輔助電源。在所有情況下,為了實現高效率,開關模式技術都用于生成電壓軌,這依賴于以高頻運行的半導體。
SiC MOSFET被推廣為使用IGBT的現有設計的絕佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆變器和風力渦輪機>1000 V應用的支柱,提供中速開關。
電 子發燒友網報道(文/梁浩斌)車企造芯潮在過去的兩年間不斷發酵,新勢力“蔚小理”們蠢蠢欲動自研自動駕駛芯片,傳統車企比如比亞迪、吉利等則早已投入大量資...
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)車企造芯潮在過去的兩年間不斷發酵,新勢力“蔚小理”們蠢蠢欲動自研自動駕駛芯片,傳統車企比如比亞迪、吉利等則早已投入大量資源...
注冊資本5000萬 長城汽車擬與魏建軍成立合資芯片公司芯動半導體
10月21日晚間,長城汽車在港交所發布公告稱擬使用自有資金與魏建軍、穩晟科技(天津)有限公司(以下簡稱“穩晟科技”)共同出資設立芯動半導體科技有限公司(...
日前,貝思科爾舉辦了《功率器件Power Cycling測試與數據后處理分析》線上直播活動。 本次直播主要針對各種先進封裝工藝的功率器件和模塊的快速發展...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極型功率管的簡稱,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場...
1979年,MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成),其特點是通過強堿濕法...
2022-10-14 標簽:IGBT 1101 0
在日前業績上說明會,聞泰科技董事長、總裁張學政表示,上市公司正在布局IGBT、SiC、GaN等產品,來自汽車與工業需求持續增長,成為半導體業務增長的主要動力。
比亞迪半導體PIM模塊通過多家頭部變頻與商用空調客戶可靠性認證
PIM產品作為IGBT產品大類的重要組成部分,是一種綜合集成功率器件,適用于變頻器及伺服領域。
華太針推出高速 1200V FS IGBT與高、中、低速650V Super IGBT
IGBT是光伏逆變器核心功率器件,光伏逆變器是光伏發電的核心設備,其主要功能為將太陽電池組件產生的直流電轉化為交流電,并入電網或供負載使用。
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