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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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我們都知道IGBT發生短路故障時會發生退飽和現象,如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓,同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍,因此IGBT發...
9月20日,廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱:廣電計量)聯袂上海陸芯電子科技有限公司(簡稱:上海陸芯),于廣州順利舉行“廣電計量與上海陸芯合作交流會暨...
翠展微宣布完成近億元A輪融資 用于新建車規級IGBT模塊產線
2022年9,翠展微對外宣布完成近億元A輪融資,本輪融資由辰峰資本領投,天龍電子和重元納星戰略投資。本輪募集的資金將用于新建2~3條車規級IGBT模塊產...
IGBT 功率模塊工作過程中存在開關損耗和導通損耗,這些損耗以熱的形式耗散,使得在 IGBT 功率模塊封裝結構產生溫度梯度。并且結構層不同材料的熱膨脹系...
近幾年來,電動汽車、電化學儲能、以及光伏和風電等新能源市場的快速發展,市場對功率器件的需求量大增,特別是電動汽車的興起,讓IGBT常年處于供應緊張狀態,...
中國國際智能產業博覽會(簡稱“2022智博會”在重慶國際博覽中心如期舉行,是重慶市舉辦的第五屆智博會。2022智博會延續“智能化:為經濟賦能,為生活添彩...
IGBT模塊中的底板發揮著形成導熱通道、保證導熱性能、增強模塊機械性能的作用。底板材料一般用銅或者鋁基碳化硅(AlSiC)。
適用于IGBT驅動器應用的2W DC-DC轉換器輸出電壓引腳
MINMAX MAEU02-HI 系列是全新系列的隔離式 2W DC-DC 轉換器模塊,采用 SIP-7 封裝,具有額定 5700VDC 的高 I/O ...
隨著國家“雙碳”目標政策(即“2030 碳達峰,2060 碳中和”)的出臺以及碳中和政策正在從全球共識向全球行動推進,新能源行業(如新能源汽車,光伏及儲...
碳化硅的市場需求(市值而不是數量)未來幾年會有一個非常快速的增長,碳化硅貴很多,硅基器件不會那么快退出市場。碳化硅和800V是比較好的組合,但并不是一對...
IGBT模塊的集電極電流增大時,VCE(-)上升,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,原件發熱加劇。因此,根據額定損耗,開關損耗所產生的熱量,控...
事實上IGBT的結構與MOSFET十分接近,只是在其背面增加了N+和P+層,“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOSFET優點的...
新能源汽車熱度居高不下。近日,工信部總工程師田玉龍在國新辦發布會上表示,今年以來,中國新能源汽車產業克服疫情多點散發等重重困難,實現了平穩快速發展。上半...
IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層...
現在主流400V架構中,電驅動的功率管主要采用IGBT器件,但IGBT耐壓值通常不高于650V,基本不能用于800V架構。即便采用超級結工藝的高耐壓IG...
IGBT芯片經歷了一系列的迭代過程從PT技術向NPT技術,再到現在FS技術的升級,使芯片變薄,降低了熱阻,并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引...
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