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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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根據(jù)相關(guān)報道,此次英飛凌IGBT產(chǎn)品瑕疵問題源于最新的制造工藝,在替代現(xiàn)有氮離子而注入最新工藝鋁離子的過程中出現(xiàn)了不良現(xiàn)象。
使用電力驅(qū)動的車輛而不是化石燃料可以減少CO 2 的產(chǎn)生,有助于保持城市的空氣更健康、更清潔。環(huán)境優(yōu)勢與經(jīng)濟優(yōu)勢相結(jié)合:與“傳統(tǒng)”汽車相比,電動汽車(E...
IGBT瑕疵事件影響現(xiàn)代“明星汽車”交付?亂局之下,國產(chǎn)IGBT迎來黃金期
日前,全球最大的汽車芯片供應商英飛凌出現(xiàn)產(chǎn)品瑕疵問題,致使該公司放棄了這批從今年4月初到6月初生產(chǎn)的IGBT芯片。據(jù)悉,這批芯片原計劃將被用于韓國現(xiàn)代汽...
Microchip 的新 SiC 產(chǎn)品系列通過采用具有更少部件和更簡單控制方案的兩電平拓撲克服了 IGBT 的困難。沒有開關(guān)限制,功率轉(zhuǎn)換單元可以減小尺...
IGBT大約占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,占到整車成本的5%,是整部電動車成本第二高的元件(成本第一高的是電池)。毫不夸張地說,這就是電動車領(lǐng)域的“核心技術(shù)”。
IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V,額定電流范圍為5A至1000A,IGBT廣泛用于工業(yè)應用...
自20世紀70年代全球爆發(fā)石油危機以來,太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展,經(jīng)過多年的研究和技術(shù)開發(fā),太陽能光伏組件價格已大幅...
是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片;1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù);低開關(guān)損耗;正溫度系數(shù);簡單的平行技術(shù)。廣泛應用在中等功率驅(qū)動器、...
半導體行業(yè)IGBT晶圓發(fā)展及應用技術(shù)詳解
IGBT絕緣柵雙極型晶體管;作為一種高效能的半導體元件它一般應用在不間斷電源UPS和變頻器上;自IGBT開啟工業(yè)化應用以來,技術(shù)經(jīng)歷了豐富的技術(shù)演變,涌...
吉萊微創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理!研發(fā)投入不足,募資8億擴增高端IGBT模塊產(chǎn)能
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)6月30日,江蘇吉萊微電子股份有限公司(以下簡稱:吉萊微)創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理! ? ? 招股書顯示,本次IPO保薦機構(gòu)為長江...
IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢特征的一種半導體復合器件,作為功率半導體分離器件的代表,廣泛應用于新能源汽車、消費電子、工業(yè)控制領(lǐng)域,所涉及領(lǐng)域...
接上一篇討論了IGBT應用的環(huán)境,在什么條件下算是高濕?而高濕環(huán)境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內(nèi)容我們接著討論,從用戶端的角度,如何預防IGBT...
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