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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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淺談IGBT國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)情況
安森美半導(dǎo)體2019全年收入的近1/3來自汽車市場(chǎng),約1/4來自工業(yè)市場(chǎng),約1/5來自通信市場(chǎng);按照地區(qū)分類,全年收入有約65%來自亞洲市場(chǎng)。
光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試的應(yīng)用
日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對(duì)應(yīng)的分立器件性能測(cè)試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測(cè)試帶了不少困難。泰克的...
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于...
WD0412柵極半橋驅(qū)動(dòng)器概述及功能說明
WD0412具有耐壓600V,高低邊懸浮隔離,輸入輸出同框,電源輸入范圍10V-20V,信號(hào)輸入電平3.3V、5V、15V兼容,交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防邏輯,輸出傳...
2022-05-11 標(biāo)簽:IGBT半橋驅(qū)動(dòng)器 1607 0
PI推出汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV
Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適...
柵極驅(qū)動(dòng)脈沖觸發(fā),柵極電壓上升至高電平,VGE=+5V,IGBT導(dǎo)通后,電源電壓將對(duì)線圈一次側(cè)漏感充電,一次側(cè)電流開始線性上升。由于在火花塞產(chǎn)生電弧之前...
相較于現(xiàn)有的400V系統(tǒng),800V系統(tǒng)的推出是一大進(jìn)步,并且其推出速度比許多人預(yù)期的要快。800V系統(tǒng)有何優(yōu)勢(shì)?它們?nèi)绾螏椭鉀Q一些對(duì)消費(fèi)者構(gòu)成障礙并減...
2022-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT繞組 2245 0
比亞迪半導(dǎo)體新研發(fā)的IGBT適用于各類光伏逆變器
該兩款I(lǐng)GBT模塊采用光伏逆變市場(chǎng)的典型應(yīng)用拓?fù)?,模塊結(jié)構(gòu)緊湊、性能高效,適用于各類光伏逆變器,如光伏逆變和儲(chǔ)能等。與行業(yè)同類產(chǎn)品相比,溫升更低、可靠性更高。
2022-05-06 標(biāo)簽:IGBT光伏逆變器比亞迪半導(dǎo)體 2441 0
在圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中采用這些高性能SiC MOSFET配置,系統(tǒng)能效達(dá)到97% (典型值)。該設(shè)計(jì)包括硬件過流保護(hù)(OCP)、硬件過壓保護(hù)(OVP)和...
2022-05-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTPFC 1966 0
碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用
因此,如果要提高驅(qū)動(dòng)效率及延長(zhǎng)系統(tǒng)的工作壽命時(shí),遷移到SiC 肖特基顯然是有利的。那么我們何以采取更進(jìn)一步的方案呢?
在“碳達(dá)峰”“碳中和”背景下,太陽能、風(fēng)能、熱能、生物能等可再生能源的規(guī)?;瘧?yīng)用成為世界能源發(fā)展的必然趨勢(shì)。在眾多發(fā)電技術(shù)中,太陽能光伏發(fā)電是綠色環(huán)保概...
2022-05-06 標(biāo)簽:IGBT光伏逆變器比亞迪半導(dǎo)體 2951 0
除此之外,我們?cè)谠u(píng)估板上的效率評(píng)估結(jié)果,它被模擬為每個(gè)應(yīng)用程序的電路,以便讓您知道我們的設(shè)備在應(yīng)用電路中也有良好的性能。例如,下圖顯示了逆變電路中的...
光伏和車用IGBT供貨周期超50周,設(shè)備和FRD成關(guān)鍵
近年來,在電動(dòng)汽車、光伏風(fēng)電、變頻家電,以及工控等下游需求的驅(qū)動(dòng)下,IGBT行業(yè)保持了快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。記得2018年時(shí),車規(guī)級(jí)IGBT就異常緊缺,后來隨著...
2022-05-03 標(biāo)簽:IGBT光伏發(fā)電FRDM-KE02Z 6104 0
光伏IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)百億元,IGBT將成為市場(chǎng)寵兒
光伏逆變器是太陽能光伏系統(tǒng)的核心組件,可將太陽能電池發(fā)出的直流電轉(zhuǎn)化為符合電網(wǎng)電能質(zhì)量要求的交流電,并配合一般交流供電的設(shè)備使用。光伏逆變器的性能可以影...
汽車IGBT產(chǎn)品響應(yīng)xEV的節(jié)能和高性能
AE3和AE4目前處于大規(guī)模生產(chǎn)狀態(tài),已被全球許多客戶采用,并受到好評(píng)。正在開發(fā)的下一代AE5,計(jì)劃在2021年底發(fā)布工作樣品,許多客戶已經(jīng)詢問并考...
2022-04-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 903 0
這個(gè)時(shí)候IGBT還沒有開通,由于開通瞬態(tài)IGBT輸入電容相當(dāng)于短路,因此門極電流Ig快速上升至峰值電流,隨后門極電容會(huì)逐漸被充電至開啟閾值電壓Vge,t...
功能陶瓷在IGBT中就是相當(dāng)于在電子電路基板上的應(yīng)用,作為功能陶瓷基板的材料有著優(yōu)秀的絕緣性,接下來為大家介紹一下功能陶瓷在IGBT領(lǐng)域中的應(yīng)用。
根據(jù)中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)的預(yù)測(cè), 2025年全球和中國(guó)光伏新增裝機(jī)容量的中值分別為:300GW和100GW, 因此我們估計(jì)2025年全球和中國(guó)的光伏領(lǐng)域IG...
IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡(jiǎn)單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。
比亞迪半導(dǎo)體亮相廣東省科技創(chuàng)新大會(huì)
一年一度的省級(jí)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域最高級(jí)別盛會(huì)——廣東省科技創(chuàng)新大會(huì)在廣州召開。會(huì)上頒發(fā)了2021年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司“高可靠性大電流...
2022-04-21 標(biāo)簽:芯片IGBT科技創(chuàng)新 1556 0
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