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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)在上一期中,已經(jīng)提到作為一種功率半導(dǎo)體,IGBT應(yīng)用非常廣泛,小到家電、大到飛機、艦船、交通、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。IGBT已...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計算機、消費電子、汽車電子以及航空航天、國防軍工等產(chǎn)業(yè)...
2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標-《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇》
第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍,在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。
2021-10-11 標簽:新能源汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)IGBT 1696 0
近幾年來,新能源汽車發(fā)展迅猛,與之配套的汽車功率器件也發(fā)展迅速,不少廠商開始針對汽車應(yīng)用開發(fā)新的產(chǎn)品。比如說SiC就是一個典型,自從特斯拉在Model ...
我國擁有著最大的功率半導(dǎo)體市場,國內(nèi)廠商在IGBT等高端器件在技術(shù)上與國際大公司相比還有著一些差距。從市場上看,雖然英飛凌、 三菱和富士電機等國際廠商目...
IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計算機、消費電子、汽車電子以及航空航天、國防軍工等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,在新興領(lǐng)域如新能源,新能...
2021-09-25 標簽:三菱IGBT功率半導(dǎo)體 5164 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)PCIM Asia自2002年進入中國市場后,到今年已經(jīng)有20年了,以前該展會都是在上海舉辦,今年首次來到了深圳。一直以來...
一切面向未來!英飛凌將重磅亮相深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展
中國上海訊——9月27日,為期三天的深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展(ELEXCON 2021)將隆重開幕。
英飛凌采用具有新額定電流的IGBT7以增強1200V EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合,靈活滿足更高的功率密度和性能
除了太陽能和驅(qū)動應(yīng)用外,該產(chǎn)品組合還為商用、建筑和農(nóng)用車輛(CAV)以及不間斷電源(UPS)逆變器量身定制。
為何業(yè)界都看好碳化硅器件在汽車上的應(yīng)用?碳化硅在性能上比較原有器件有哪些優(yōu)勢?中電化合物半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張昊翔和比亞迪半導(dǎo)體有限公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品...
如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng),以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求,...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列,提供優(yōu)異效率
新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,具備出色的開關(guān)速度和...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,可將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電,是目前最有前景...
Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案取代硅IGBT,現(xiàn)已提供1700V版本
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴大了設(shè)計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 標簽:開關(guān)電源microchipIGBT 1627 0
新品|國內(nèi)首款兼容光耦帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動器SLMi33x
數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國內(nèi)首款單通道帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動器SLMi33x。
ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件,還積極推動Si功率元器件和驅(qū)動IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
.XT”是個啥以及.XT技術(shù)對器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c)的提升及其影響
英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200V SiC MOSFET SMD系列產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm,覆...
我國新能源汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位,為寬禁帶半導(dǎo)體的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量應(yīng)用數(shù)據(jù)樣本。 《中國電子報》記者在采訪時了解到,寬禁帶半導(dǎo)...
第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成
2021年6月,富士經(jīng)濟對SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2030 年將達到 404...
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