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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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目前,比亞迪、歌爾股份、瑞聲科技、丘鈦科技、東山精密、海康威視等諸多上市公司相繼推出分拆上市預案。截止3月12日,A股市場中已超過60家企業發布了分拆子...
新型車用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速開關車載充電器應用實現性能提升
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估值破300億!千億“車用芯片”市場啟動,比亞迪、地平線融資事件緣何全國關注?
(電子發燒友網報道? ? 文/章鷹)? 3月3日,全國兩會在北京召開,來自各界代表對自動駕駛和車載芯片領域的卡脖子問題,發表不少建言。全國人大代表、奇瑞...
嘉興斯達半導體股份有限公司(以下簡稱“斯達半導”)發布2021年度非公開發行A股股票預案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導體模塊等項目。
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英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進一步提高效率
由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。
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卷全球汽車產業的芯片荒大有愈演愈烈之勢。然而,正是在這樣的危機之中,或許孕育著中國新能源汽車產業又一次“超車”的機會。
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