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      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2828個 瀏覽：249350次 帖子：479個

      igbt資訊

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      IGBT是電源應用中相當常見的器件，可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體所推出的TO247－4L IGBT將可為相關應用提供更高的效能與更佳的成本...

      2020-12-26 標簽：電源半導體IGBT 497 0

      中國最大的車規級IGBT廠商比亞迪半導體分拆上市加速

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      2020-12-24 標簽：半導體比亞迪IGBT 2799 0

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      2020-12-23 標簽：芯片半導體IGBT 4060 0

      日本的半導體實力如何?

      近日，據日經報道，東芝和富士電機將合計投資2000億日元（合19億美元），以提高電動汽車的節能芯片的產量，以適應世界各國政府向電動汽車和卡車的急劇轉變。

      2020-12-16 標簽：芯片半導體IGBT 4671 0

      比亞迪自產電動汽車的CPU的核心芯片

      導語：對于目前中國新能源車企極高的市值，很多人都認為存在泡沫，但顯然比亞迪是其中的一個例外。 在2019年年初新能源補貼政策大退坡之后，不少業內人士都看...

      2020-12-15 標簽：電動汽車芯片新能源汽車 8870 0

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      2020-12-15 標簽：電阻器IGBT 7088 0

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      比亞迪的IGBT芯片專利，通過添加導電類型的附加區，使得含有該IGBT芯片的功率器件承受反偏時，附加區能夠通過耗盡擴展，將柵極溝槽包圍在耗盡區中，為其增...

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