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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2846個 瀏覽：249695次 帖子：479個

      igbt資訊

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      2023-02-02 標簽：變頻器電壓IGBT 2503 0

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      2022-12-08 標簽：新能源汽車IGBT 1525 0

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      2020-10-09 標簽：新能源汽車IGBT功率半導體 2121 0

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      2020-09-29 標簽：英飛凌封裝IGBT 2490 0

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      2022-11-15 標簽：IGBT 1027 0

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      2021-01-06 標簽：IGBT新能源車場效晶體管 1628 0

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