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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt資訊

IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD

國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機驅...

2012-09-05 標簽：IR IGBT 晶體管 1108 0

IGBT短路結溫和次數(shù)

英飛凌IGBT模塊開關狀態(tài)下最高工作結溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。

2023-02-06 標簽：IGBT 開關狀態(tài)工作結溫 1105 0

士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅動模塊，提升充電速度與行駛動力

隨著人們對環(huán)保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求，新能源汽車的市場需求逐漸增大，已然成為汽車發(fā)展的大趨勢，但是新能源汽車充電時間長、續(xù)航里程短等問題仍...

2023-09-07 標簽：新能源汽車 IGBT 士蘭微 1105 0

利用安森美半導體IGBT實現(xiàn)高能效的高性能開關應用

今天，不論是用在工業(yè)領域還是民用產(chǎn)品的開關應用，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）都可以提供有效的解決方案，以實現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上...

2013-11-20 標簽：IGBT 安森美半導體 1104 0

英飛凌科技推出650V H7型號，擴展第七代TRENCHSTOP IGBT系列

H7 IGBT器件采用EC7復合封裝二極管，采用先進的發(fā)射極控制設計，再加上高速技術，可滿足對環(huán)保和高效電源解決方案不斷增長的需求。

2023-08-29 標簽：英飛凌二極管 IGBT 1099 0

半導體IGBT模塊的詳解

共讀好書 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙極型三極管）和 MOS（絕...

2024-03-22 標簽：半導體 IGBT 晶體管 1099 1

IGBT的發(fā)展史

1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結構（P-N-P-N四層組成），其特點是通過強堿濕法...

2022-10-14 標簽：IGBT 1099 0

陸芯：IGBT模塊 LGM200HF120S4F1A 1200V 200A 半橋用于ups 儲能焊機等

上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...

2022-05-24 標簽：UPS IGBT 1093 0

貝茵凱一次流片出三款大功率IGBT芯片，良率接近100%

就在今年8月，貝茵凱獨自開發(fā)出了“第7代高性能igbt”，并在12英寸晶片上亮相。以200a電流規(guī)格為例，12英寸晶片能生產(chǎn)約400個芯片，而8英寸晶片...

2023-10-16 標簽：芯片 IGBT 晶片 1093 0

功率器件IGBT及國內外IGBT企業(yè)

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（MOSFET）金氧半...

2024-05-16 標簽：三極管 IGBT 晶體管 1087 0

電力電子新基石：氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的應用研究

氮化鋁陶瓷（AlN）因其優(yōu)越的熱、電性能，已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的理想基板材料。本文對其應用于IGBT模塊的研究進行深入探討。

2023-07-01 標簽：電子 IGBT 貼片機 1081 0

2021 ~ 2027年IGBT全球市場規(guī)模CAGR將達7%

絕緣閘雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益于新能源與碳中和發(fā)展趨勢，2021~2027年市場規(guī)...

2023-02-07 標簽：IGBT 晶體管 1081 0

IGBT的保護

IGBT的保護摘要：通過對IGBT損壞機理的分析，根據(jù)其損壞的原因，采取相應措施對其進行保護，以保證其安全可靠工作。關鍵詞

2009-07-11 標簽：IGBT 1080 0

Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT

美國加利福尼亞州圣何塞，2017年5月16日 – 中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者（納斯達克股票代號：POWI）今天推出SC...

2017-05-19 標簽：mosfet igbt 1077 0

中芯集成車規(guī)級IGBT芯片產(chǎn)能年底前將超過12萬片每月

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷脖环Q為電力電子裝置的“CPU”。它是新能源汽車必不可少的組件。新能源汽車通過電池驅動電機，從而提供動能。電池充電和...

2023-07-12 標簽：芯片新能源汽車 IGBT 1074 0

30kVA逆變電源中IGBT的驅動與保護

30kVA逆變電源中IGBT的驅動與保護摘要：系統(tǒng)介紹30kVA逆變電源中IGBT的驅動與保護技術。提出IGBT對驅動電路的要求，介紹三菱的IGBT...

2009-07-11 標簽：IGBT 1073 0

英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究

本文提及的相關產(chǎn)品，均會在直播中出現(xiàn)掃描上方二維碼即可報名摘要：EconoDUAL3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應...

2024-03-26 標簽：英飛凌變頻器 IGBT 1070 0

意法半導體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅動器

意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。

2024-02-27 標簽：微控制器 MOSFET 驅動器 1069 0

上能電氣+安森美聯(lián)合實驗室揭牌圍繞半導體器件應用展開高水平合作

2月22日，上能電氣與安森美半導體（onsemi）聯(lián)合實驗室揭牌成立。安森美亞太區(qū)高級副總裁David Chow、中國區(qū)銷售副總裁Roy Chia，上能...

2023-02-24 標簽：安森美 IGBT MOS 1068 0

?國芯思辰 | 混合IGBT單管在工商業(yè)儲能PCS變流器中的應用指南

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-03-29 標簽：IGBT 變流器國芯思辰 1068 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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數(shù)字隔離技術常用于工業(yè)網(wǎng)絡環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設備中，尤其是一些應用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內容。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應用等內容。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應用在電視機技術上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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