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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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自2020年汽車缺芯以來,汽車芯片結構性缺芯愈發明顯,IGBT一直處于緊缺狀態。在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴產的最大掣肘。
一個IGBT用不同的驅動板會得到不一樣的效果嗎?為什么? 當使用不同的驅動板驅動同一個 IGBT 時,會產生不同的效果。這是因為驅動板在控制 IGBT ...
翠展微電子作為IGBT行業新銳力量,近年來發展極其迅速。2020年成立于嘉善,當年即部署封測生產線;2022年搬進二期園區;2023年啟動并成功封頂三期工程。
新型車用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速開關車載充電器應用實現性能提升
深圳威邁斯新能源股份有限公司(威邁斯)是中國領先的車載充電器供應商,致力于開發汽車電力電子產品,為客戶帶來高度可靠的車載充電器和DC-DC變流器產品。
英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導二極管的20A 1350V器件,再次擴充逆導(RC) 軟開關IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產品組合。新的20A RC-...
根據相關報道,此次英飛凌IGBT產品瑕疵問題源于最新的制造工藝,在替代現有氮離子而注入最新工藝鋁離子的過程中出現了不良現象。
如何利用快速開關的TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC
本文作者作者:akbarsyeda翻譯:趙佳緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標。現在,由于家用電器消耗的能量不斷增加,從...
在實際電路開發中,單相組串式逆變器主要是用650V的IGBT,目前在市面上經常使用仙童FGH40N60SFD的型號參數應用。在國內有有比較好的IGBT能...
江蘇芯長征微電子集團股份有限公司(以下簡稱“芯長征”)近日引起了市場的廣泛關注。證監會已公開披露了關于該公司首次公開發行股票并上市的輔導備案報告,這一消...
2023 年 9 月 11 日,中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶...
飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應用中實現更高...
昕感科技發布一款1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0
近日,昕感科技發布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0,導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
英飛凌推出EiceDRIVER? F3增強型系列柵極驅動器,為電力電子系統提供全面的短路保護
EiceDRIVER F3增強型系列柵極驅動器采用爬電距離為8mm的DSO 16 300 mil寬體封裝。這款單路隔離柵極驅動器具有高達300 kV/u...
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