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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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濰柴動(dòng)力發(fā)布SiC項(xiàng)目招標(biāo),SiC進(jìn)軍已指日可待
值得關(guān)注的是,根據(jù) Statista 數(shù)據(jù)庫的統(tǒng)計(jì),2020年全球工程機(jī)械市場規(guī)模約為 1363 億美元,預(yù)計(jì)2030年市場規(guī)模將達(dá)到 2346 億美元...
高壓TVS二極管P6SMB600CA在IGBT浪涌保護(hù)中的應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)廣泛用于功率逆變器,工業(yè)驅(qū)動(dòng)器,電動(dòng)汽車家用電器的充電器, 電機(jī)控制和感應(yīng)加熱,因?yàn)樗鼈円子谑褂们倚阅芨唠妷汉碗娏黩?qū)動(dòng)能力。...
匯川技術(shù)與雙良節(jié)能達(dá)成戰(zhàn)略合作,助推氫能產(chǎn)業(yè)發(fā)展
近日,深圳市匯川技術(shù)股份有限公司(簡稱“匯川技術(shù)”)與雙良節(jié)能系統(tǒng)股份有限公司(簡稱“雙良節(jié)能”)就綠電智能制氫系統(tǒng)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方本著“互惠、互...
目前,芯動(dòng)半導(dǎo)體無錫工廠已完成建設(shè),自今年2月奠基以來,歷時(shí)8個(gè)月,工廠主體封頂,首條模塊產(chǎn)線于10月28日順利通線。工廠擁有國內(nèi)一流測試環(huán)境,能夠滿足...
深圳芯能半導(dǎo)體獲IGBT芯片專利,創(chuàng)新接觸孔連接ESD結(jié)構(gòu)提升安全性
此次專利的申請日期為2023年8月22日,授權(quán)公示日為2024年3月26日,授權(quán)公告號為CN116779666B。此項(xiàng)專利主要涉及的新型IGBT芯片結(jié)構(gòu)...
安森美,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè),今日宣布推出SPM31智能功率模塊(IPM),該模塊采用了創(chuàng)新的場截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGB...
中國IGBT芯片細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域分析 高壓IGBT打破國外技術(shù)壟斷
來源: 電力電子技術(shù)與應(yīng)用 1、中國 IGBT芯片 應(yīng)用領(lǐng)域:三大類產(chǎn)品的應(yīng)用場景 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由B...
無獨(dú)有偶,在車規(guī)級功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車企不止吉利一家。近日,深藍(lán)汽車與斯達(dá)半導(dǎo)體達(dá)成合作,雙方組建了一家名為 " 重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司 &...
2023-06-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 852 0
車規(guī)功率器件量價(jià)齊升市場規(guī)模已超過1000億元
按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過70%...
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT1...
?大家好,我叫宋仕強(qiáng),是薩科微和金航標(biāo)這兩個(gè)皮包公司的大股東兼大老板兼董事長兼總經(jīng)理。薩科微公司近年來發(fā)展迅速,產(chǎn)品研發(fā)方面大投入,高端產(chǎn)品IGBT、電...
2023-07-06 標(biāo)簽:三極管二極管穩(wěn)壓二極管 849 0
IGBT在電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,尤其在需要在寬速度范圍內(nèi)精確控制且背景噪音最小的脈沖寬度調(diào)制(PWM)伺服和三相驅(qū)動(dòng)中。這些器件還可以用于需要頻繁開關(guān)的...
Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay R...
美高森美為非穿通型IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch thro...
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能溝槽型場截止IGBT陣容
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,20...
士蘭微電子車規(guī)級MOS產(chǎn)品獲CIAS2024年度“最具市場力產(chǎn)品獎(jiǎng)”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)暨 CIAShow功率半導(dǎo)體、裝備與材料創(chuàng)新展在蘇州獅山國際會(huì)議中心舉辦,士蘭微...
安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(I...
飛兆半導(dǎo)體的陽極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎(jiǎng)
飛兆半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: FCS)——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC...
2013-09-18 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT 835 0
功率半導(dǎo)體的應(yīng)用使風(fēng)力發(fā)電機(jī)更加可靠、高效。通過這些半導(dǎo)體器件,風(fēng)力發(fā)電站能夠適應(yīng)不斷變化的風(fēng)速,實(shí)現(xiàn)電力平穩(wěn)輸出。此外,它們還提高了電力轉(zhuǎn)換效率,減少...
2023-10-30 標(biāo)簽:IGBT發(fā)電功率半導(dǎo)體 834 0
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