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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2826個 瀏覽：249319次 帖子：479個

      igbt資訊

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      英飛凌（Infineon）作為世界半導體產業發展的先行者和引領者，一直致力于打造先進的產品和全面的系統解決方案，為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、...

      2023-12-20 標簽：英飛凌MOS管IGBT 830 0

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      2022-05-24 標簽：IGBT焊機 829 0

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      功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開關器件，優勢在于體積小、壽命長、可靠性高，現在市場上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業為...

      2023-11-08 標簽：英飛凌芯片IGBT 825 0

      如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？

      如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導體器件，結合了雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）的特點。I...

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      2023-01-17 標簽：MOSFETIGBT晶體管 821 0

      賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

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      賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市） 在開發SiC（碳化硅） 功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次...

      2023-04-26 標簽：半導體IGBT功率模塊 821 14

      SEMiX13六管封裝IGBT模塊

      SEMiX13六管封裝IGBT模塊 電流達到200A，采用經過驗證的無焊壓接技術用于PCB裝配和電纜連接 電流達到200A，采用經過驗證的無焊壓接技...

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        SDK
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        OBD
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