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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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我國研發(fā)的8英寸IGBT高鐵控制系統(tǒng)成功中標(biāo)印度機(jī)車市場
近日,中車株洲電力機(jī)車研究所研發(fā)的8英寸IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)高鐵控制系統(tǒng)成功中標(biāo)印度機(jī)車市場。這是我國高鐵裝備核心器件首次獲得海外批量訂單。
2016-12-12 標(biāo)簽:功率開關(guān)IGBT 2592 0
電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測試
電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)...
2016-11-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 1311 1
英飛凌推出面向18?40kHz開關(guān)用途的低損耗IGBT
英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布...
Model X上配備了250多個(gè)英飛凌的半導(dǎo)體部件
11月12日,在慕尼黑電子展“electronica 2016”上,德國英飛凌科技公司在其展位的醒目位置展示了特斯拉的純電動(dòng)SUV“Model X”,M...
過去幾年來,碳化硅(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長,成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動(dòng)此項(xiàng)市場發(fā)展的力量包括下列趨勢:節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...
2016-11-14 標(biāo)簽:igbtSiC功率半導(dǎo)體 1936 0
上海先進(jìn)試制6500V機(jī)車用IGBT芯片通過中車產(chǎn)品鑒定
由中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會組織的“中國中車完全自主知識產(chǎn)權(quán)6500V大功率IGBT芯片與模塊產(chǎn)品鑒定暨發(fā)布會”在西安召開,經(jīng)專家組評議一致認(rèn)為:由上...
ST的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效
意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)...
2018年市場規(guī)模60億美元 國產(chǎn)IGBT產(chǎn)業(yè)化突破在即
根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole的報(bào)告顯示,全球IGBT市場規(guī)模在未來幾年時(shí)間將繼續(xù)保持穩(wěn)定的增長勢頭,市場規(guī)模至2018年將達(dá)到60億美元的數(shù)值。 在產(chǎn)品分布...
Mentor Graphics 推出獨(dú)特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案
俄勒岡州威爾遜維爾,2016 年 5 月 23 日—Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)今天宣布推出全新的 MicReD? ...
2016-05-24 標(biāo)簽:IGBT晶體管Mentor Graphics 2166 0
安森美半導(dǎo)體進(jìn)一步擴(kuò)展IGBT系列推出基于第三代超場截止技術(shù)的1200 V器件
2016 年 5月10日- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號: ON),推出新系列絕緣柵雙極晶體...
Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC,將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中
中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的...
2016-05-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1463 0
IGBT作為電能變換的關(guān)鍵部件,是現(xiàn)代科學(xué)、工業(yè)和國防的重要核心技術(shù)。近幾年中國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場牽引下得到迅速發(fā)展,已形成了...
瑞薩電子推出第8代IGBT,以行業(yè)領(lǐng)先的超低損耗特性,提升系統(tǒng)功率
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE:6723),于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產(chǎn)品,其可將用于...
2016-03-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT瑞薩電子 2698 0
Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下 開關(guān)功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器,可在半橋...
Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球...
瑞薩電子推出業(yè)界領(lǐng)先的低功耗 IGBT,可提高空調(diào)運(yùn)行效率
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)今日宣布推出用于空調(diào)功率系數(shù)校正(PFC)電路的新型功率半導(dǎo)體器件,可廣泛用于中低端空...
中車研制出最高電壓等級高鐵“中國芯”6500V/200A IGBT模塊
從中國中車股份有限公司了解到,中國中車永濟(jì)電機(jī)公司已自主研制出我國最高電壓等級的高鐵“中國芯”—— 6500V/200AIGBT模塊。該模塊的誕生,標(biāo)志...
2015-10-26 標(biāo)簽:IGBT 6463 0
電力電子系統(tǒng)技術(shù)之所以快速發(fā)展,功率模組乃是公認(rèn)的主要推動(dòng)力,尤其在節(jié)約能源、功率控制動(dòng)態(tài)范圍、減少雜訊、減輕重量和縮減體積方面,表現(xiàn)更是出色。功率半導(dǎo)...
Fairchild大幅降低IGBT損耗,助力工業(yè)和汽車應(yīng)用中效率的提升
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制 來將IGBT 開關(guān)損耗降低30%
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