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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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2025年中國IGBT市場規模將達522億人民幣,新能源汽車為最大應用領域
集邦咨詢最新《2019 中國 IGBT 產業發展及市場報告》顯示,2018 年中國 IGBT 市場規模預計為 153 億人民幣,相較 2017 年同比增...
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一般在電路設計中需要在相互隔離的兩個電路系統間傳輸電信號時,很多人第一想到的方案就是使用光耦元件。光耦的工作原理是以光作為媒介來傳輸電信號,將發光器與受...
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日前,英飛凌在歐洲PCIM上介紹了PrimePack+封裝的全新產品,該產品基于最新的IGBT7芯片技術,大幅提高了額定電流能力,并定義了全新的2300...
前言: 隨著全球制造業向中國的轉移,我國功率半導體市場占世界市場的50%以上,是全球最大的IGBT市場。 但IGBT產品嚴重依賴進口,在中高端領域更是9...
耕耘細分市場,士蘭微電子打破了國外公司對于 IGBT器件的長期壟斷
近期,士蘭微電子推出了應用于家用電磁爐的1350V RC-IGBT系列產品。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)行業龍頭老大英飛凌近日宣布將新增在華投資,擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產...
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