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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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但與此同時,摩根士丹利發布報告指出,PC半導體上半年的強勁補貨已反映在股價上。如果終端需求沒有復甦,下半年展望將更加疲軟,成長動能將減弱。因此,大摩調降...
2013年10月22日 – 繼今年6月在上海設立銷售辦事處之后,Amantys又宣布了三家主要分銷和代理合作伙伴,以推廣和銷售其IGBT柵極驅動器系列產品。
據IHS iSuppli公司中國研究服務即將發表的一份報告,由于綠色能源與能源效率得到更多的重視,以及政府投資支持和嚴格的能源政策,2011-2015年...
貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規級硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7,額定電壓達750V,額定電流275A,適用于生產550A-9...
報告指出,由于2023年第二季度的需求反彈,且代工廠和半導體供應商的生產節流,預計該指數將大幅下行。不過,該指數將在整個2023年保持在盈余區域(庫存量...
安森美推出一款基于PLECS的具有獨特功能的領先在線仿真工具
Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有獨特功能的領先在線仿真工具,適用于軟/硬開關應用,使工程師在開發周期...
英飛凌科技發布了其全新SSI系列固態隔離器,這是一款集成了隔離型柵極驅動電源的革命性產品。SSI系列固態隔離器旨在驅動MOS電壓驅動型功率晶體管,如Co...
2024年7月8-10日,為期三天的慕尼黑上海電子展圓滿落幕,揚杰科技憑借卓越先進的展品、行業應用解決方案、獨具一格的展臺設計,現場銷售人員、FAE、P...
全球SiC器件產能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence...
安森美發布第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊
近日,智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),最新發布第 7代1200VQDual3 絕緣柵雙極晶體管(IG...
據高盛最新數據顯示,2023年中國在全球功率半導體(IGBT)市場中占據了舉足輕重的地位,其供應量已達到全球總量的29%,彰顯了我國在該領域的強勁實力與...
羅姆新增SiC和IGBT模型,可提供超3,500種LTspice?模型
據AMEYA360介紹:全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)擴大了支持電路仿真工具* 1 LTspice? 的SPICE模型* 2 陣容。LTs...
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