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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2819個 瀏覽：249221次 帖子：479個

      igbt資訊

      IR推出能簡化器件選擇和優化的IGBT產品在線選型和性能評估工具

      全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日提升絕緣柵雙極晶體管 （IGBT...

      2013-03-12 標簽：IGBTIR公司 1107 0

      德州儀器推柵極驅動器旨在滿足IGBT與SiC FET需求

      德州儀器 （TI） 宣布推出業界首款面向絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 與碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI...

      2013-03-04 標簽：德州儀器IGBTSiC 1276 0

      IR潘大偉：善用功率器件，為節能設計保駕護航

      近年來，全社會追求低能耗風潮愈演愈烈，其最終目的就在于最大限度減少電能損耗，實現變頻功能也需要功率器件發揮自身神奇作用。如何才能實現更高效的節能設計？

      2013-02-22 標簽：MOSFET電機控制節能 1914 0

      IR擴充堅固可靠的600V溝道超高速IGBT系列

      國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，這些經過優化的新器件...

      2013-02-19 標簽：UPSIGBTIR公司 1168 0

      飛兆半導體推出具有高可靠性和卓越開關性能IGBT

      飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路（Shorted Anode） trench IGBT可針對IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應用中實現更高...

      2013-01-29 標簽：飛兆半導體IGBT 907 0

      PI子公司成立設計中心將提供定制IGBT驅動器解決方案

      Power Integrations旗下子公司IGBT驅動器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設一家新的設計中心...

      2013-01-17 標簽：IGBTPI公司 1277 0

      東芝新穎IGBT/MOSFET門驅動光電耦合器

      東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率...

      2013-01-11 標簽：MOSFET東芝IGBT 1438 0

      臺灣茂矽聯手富鼎先進開發電動車高功率IGBT

      茂矽電子與富鼎先進將合作開發電動車（EV）高功率絕緣閘雙極型電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）元件...

      2013-01-10 標簽：IGBT電源公司茂矽 2085 0

      如何實現IR2110驅動電路的優化設計

      驅動IGBT電壓型功率器件有多種具有保護及隔離功能的集成驅動模塊。這些模塊具有多種保護功能、隔離驅動、電路參數一致性好、運行穩定可靠等優點，但其相對價格...

      2012-12-27 標簽：IGBTIR2110功率器件 9460 1

      IGBT在應用中碰到的常見問題解決方法

      隨著現代電力電子技術的高頻大功率化的發展，開關器件在應用中潛在的問題越來越凸出，開關過程引起的電壓、電流過沖，影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...

      2012-12-24 標簽：IGBT功率器件 1.3萬 0

      開關電源技術發展的十大關注點

      開關電源一直是電子行業里非常熱門的技術，而它的發展趨勢又是大家必須時刻關注的問題，不然一不留神就會跟不上技術發展的步伐。電子元件技術網做了項開關電源技術...

      2012-12-20 標簽：開關電源IGBT功率半導體 2961 3

      國際整流器公司IGBT技術平臺強攻工業市場

      　國際整流器（IR）推出新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）技術平臺。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技術平臺利用IR新一代溝道閘極場截...

      2012-11-27 標簽：IGBT工業國際整流器 1136 0

      隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

      功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...

      2012-11-26 標簽：IGBT功率器件Power MOSFET 8367 0

      如何準確選擇功率器件

      所謂功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流...

      2012-11-22 標簽：MOSFETIGBT功率器件 1.3萬 0

      IR 推出第八代 1200V IGBT技術平臺

      　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （I...

      2012-11-17 標簽：IRIGBT電源芯片 1678 0

      英飛凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同級最佳效能　

      　英飛凌科技發表新一代薄晶圓技術IGBT TRENCHSTOP 5 系列產品，其導通損失和切換損失均遠低于目前的領導解決方案。透過這項突破性的產品，英飛...

      2012-11-16 標簽：英飛凌IGBT電源芯片 2490 1

      安森美半導體擴充高性能工業IC的廣泛產品陣容　

      安森美半導體（ON Semiconductor）持續推動高性能工業積體電路（IC）方案的電源管理。最新元件提供高度強固性，應用于寬工作溫度範圍，性能突出...

      2012-11-14 標簽：UPS安森美LDO 968 0

      IGBT的一種驅動和過流保護電路的設計

      絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET與GTR的復合器件，因此，它既具有MOSFE...

      2012-11-12 標簽：保護電路IGBT 2102 2

      IGBT模塊應用指南

      IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor），它是八十年代初誕生，九十年代迅速發展起來的新型復合電力電子器...

      2012-11-06 標簽：IGBT 1190 0

      IGBT的基礎與運用

      IGBT的基礎與運用

      　IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速...

      2012-10-30 標簽：IGBT 2119 0

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