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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊
近日,全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊,這些模塊采用了經過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產品系列包括...
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7月8日,為期3天的2024年慕尼黑上海電子展(electronica China)在上海新國際博覽中心盛大開幕。作為全球電子行業盛會,本次展會匯聚國內...
在研研討會 | @5/18 IGBT7 在工業及新能源的解決方案
針對光伏+ 儲能(發電)以及電機驅動(用電)兩個維度展開,給大家重點介紹英飛凌新一代IGBT7產品特點以及如何利用新的IGBT7產品設計出高效率,高可靠...
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我們已經介紹過關于采用標準TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續流產品的優點。秉承"越多越好"...
飛虹半導體FHA25T120A IGBT單管在氬弧焊機的應用
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2024北京國際風能大會暨展覽會(CWP2024)在北京順利拉開帷幕。大會以“構筑發展新格局·踐行時代新使命”為主題,有近1000家企業參展,聚焦風電全...
瑞薩電子推出用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM
瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSF...
1200A-1800A 1700V IGBT5 XHP?2 .xt模塊的特點及應用
大功率牽引和風力發電應用需要高魯棒性,高可靠性和使用壽命長的功率器件。采用IGBT5和.XT技術的XHP? 2模塊可以滿足這些要求。I
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