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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。 IGBT 集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大...
近日全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣...
據IHS iSuppli公司中國研究服務即將發表的一份報告,由于綠色能源與能源效率得到更多的重視,以及政府投資支持和嚴格的能源政策,2011-2015年...
Diodes推出專為IGBT設計的ZXGD3006E6閘極驅動器
Diodes公司推出專為開關高功率IGBT設計的ZXGD3006E6閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的...
2011-07-06 標簽:DiodesIGBTZXGD3006E6 1452 0
英飛凌RC-D功率開關器件系列在單一芯片上融合了市場領先的英飛凌專有技術TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續流二極管,具有很低的開...
目前西安誼邦電子科技提供的該項新產品采用模塊式功放結構, 主極電流100A,200A,400A/500A/1000A/1250A可選, 2500A/50...
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導體模塊,該模塊目前也可提供三電平拓撲結構。與競爭對手的產品相比,新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
三菱電機于2011年4月8日上市了產品壽命更長、可靠性更高的IGBT模塊“J系列T-PM”。新產品將面向混合動力車和電動汽車用馬達的驅動用途
將逆變器后面的兩個紅黑接線柱接到輸出,將逆變器引出最粗的兩條線接到12V的電池,紅線的接正極,黑線接負極。此時機器前面的數碼管顯示當前設定的后極頻率及脈寬
華潤微電子開發出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺
華潤上華已開發完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺,各項參數均達到設計要求,成功進入Trench IG...
實用IGBT焊接電源方案及炸管對策!逆變電焊機=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問題是...
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