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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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Nexperia (安世半導體)推出新款600 V單管IGBT,可在電源應用中實現出色效率
IGBT是一項相對成熟的技術。盡管如此,這些器件的市場預計將隨著太陽能面板和電動汽車(EV)充電器的日益普及而有所增長。Nexperia 的600 V ...
飛虹半導體FHA75T65A IGBT單管在儲能逆變器中的應用
光儲能的發展勢頭仍在高速增長,就在2024年的6月25日上午,長三角G60科創走廊·正泰電源松江區光儲智能制造基地項目舉行了隆重的開工儀式。
近日,瑞薩電子宣布,考慮到EV(電動汽車)需求不斷增長,為擴大功率半導體產能重啟甲府工廠(山梨縣甲斐市)。
智能時代的能源轉換:IGBT與MOSFET在智慧生活中的應用
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適用于IGBT驅動器應用的2W DC-DC轉換器輸出電壓引腳
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日前,電子研習社攜手南京芯干線科技和眾多中國原廠企業代表,在深圳深鐵皇冠假日酒店隆重召開“第五屆國產半導體應用技術大會”,強勢助力中國芯!四大會場同時舉...
隨著全球電氣化技術的快速發展,對功率模塊的需求已經達到了前所未有的程度,相關產品的市場規模急劇擴大,幾乎超出了芯片制造商的產能提升速度。
英飛凌科技TRENSTOP? IGBT7 1200V系列榮膺2023年Aspencore電子成就獎
11月2日,英飛凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域,榮獲2023年Aspencore電子成就獎(World...
但縱觀各類車用電子元器件,目前僅IGBT仍維持景氣度。那IGBT為何成為唯一的例外呢?原因之一可能是因為特斯拉之前宣布將大砍碳化硅用量75%。
在能源問題日益突出的現代,以IGBT為代表的功率半 導體器件以其優良的能效轉換性能廣發應用于功率電子領域。正確的IGBT測試技術,不僅能準確的測量IGB...
IGBT是電源應用中相當常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體所推出的TO247-4L IGBT將可為相關應用提供更高的效能與更佳的成本...
隨著OPENAI和CHATGPT的普及和知名度的提高,高強度GPU計算顯然正在成為各個領域不可或缺的一部分。然而,由于高強度計算產生的大量熱量,冷卻解決...
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