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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      igbt資訊

      新品 | 6500V、1000A 單開關 IGBT 模塊 FZ1000R65KE4

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      新品6500V、1000A單開關IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV單開關IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場終止技...

      2024-09-10 標簽：模塊逆變器IGBT 414 0

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      芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測柵極驅動器，適用于功率MOSFET，IGBT和寬禁帶器件，例如氮化鎵功率器件等驅動。 提供高達...

      2023-05-05 標簽：MOSFETIGBT柵極驅動器 413 0

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      2024-09-06 標簽：元器件IGBT青銅劍科技 412 0

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      2024-11-24 標簽：電源逆變器IGBT 399 0

      電動汽車中的碳化硅半導體

      今天開關的選擇多種多樣：IGBT 因其低傳導損耗而在非常高的功率下受到青睞，而 MOSFET 在中低功率下占主導地位，其快速開關可最大限度地減少相關組件...

      2022-11-03 標簽：電動汽車IGBT碳化硅 393 0

      真空壓力除泡系統助力IGBT封裝發展

      文章轉自：屹立芯創公眾號 IGBT技術發展趨勢 （1）高功率密度 電力電子產品其實有一個使命，就是不斷地去減少損耗，不斷地去提升功率密度。要實現高功率密...

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      薩科微注重產品的配套和生態化布局，爭取最大可能滿足客戶的需求

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      薩科微總經理宋仕強（Huaqiangbei?Song?Shiqiang）先生說，薩科微SLKOR?的技術路線和新產品研發也按照互聯網的邏輯來布局。互聯網...

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      北方股份公司1項專利榮獲第一屆內蒙古自治區專利獎銀獎

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