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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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英飛凌 | SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率(5...
新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊
新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結(jié)構(gòu),針對(duì)...
新能源汽車蓬勃發(fā)展,IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張
IGBT作為電機(jī)和電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,對(duì)新能源汽車的性能有著直接影響,尤其在功率逆變器模塊中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)統(tǒng)計(jì),IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%...
新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM
新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRE...
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
近年來,我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國(guó)家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
2024-03-01 標(biāo)簽:變頻器IGBT馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 335 0
使用電力驅(qū)動(dòng)的車輛而不是化石燃料可以減少CO 2 的產(chǎn)生,有助于保持城市的空氣更健康、更清潔。環(huán)境優(yōu)勢(shì)與經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)相結(jié)合:與“傳統(tǒng)”汽車相比,電動(dòng)汽車(E...
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 334 0
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效
2023 年 9 月 11 日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶...
2023-09-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT晶體管 331 0
有助于車載和工業(yè)設(shè)備降低功耗!內(nèi)置SiC二極管的IGBT
在現(xiàn)代社會(huì),工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動(dòng)和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會(huì)消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國(guó)家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
森國(guó)科近期推出的650V/60A IGBT(型號(hào):KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 標(biāo)簽:IGBT高速開關(guān)森國(guó)科 316 0
SiC市場(chǎng)激烈,萬年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望
2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅(SiC)卻迎來一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)...
Vishay 改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝 IGBT 功率模塊
Vishay推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、...
投資近5億,林眾電子研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用
來源:上海林眾電子科技有限公司 2024年11月11日,上海林眾電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱林眾電子)研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用。其位于上海市松江區(qū),占地...
2024-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 302 0
深度分析IGBT晶圓在1200V光伏逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用
?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過將光伏電池板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率的交流電(AC),以供電網(wǎng)使用或反饋回商用輸電系統(tǒng)。逆變器的主要功能...
納芯微推出智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器NSI67X0系列
納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(jí)(...
2024-12-09 標(biāo)簽:傳感器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 299 0
陶瓷燒結(jié)厚膜電路:高功率IGBT、高頻、堅(jiān)固耐用
厚膜工藝通常涉及金屬和介電漿料的絲網(wǎng)印刷。這種制造方法可以以經(jīng)濟(jì)的價(jià)格提供高質(zhì)量的結(jié)果。
功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車市場(chǎng)嶄露頭角
近年來,隨著電動(dòng)車滲透率的逐步提升,在各類汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品中,功率半導(dǎo)體無疑是受益最大的領(lǐng)域;其高效能與低損耗特性,為電動(dòng)車的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅(jiān)實(shí)...
2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT汽車產(chǎn)業(yè) 293 0
汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變,碳化硅是否隨著更改?
汽車一直是碳化硅(SiC)的主要應(yīng)用市場(chǎng)。在整個(gè)汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下,碳化硅是否還會(huì)延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場(chǎng)行情?
Microchip 推出全新IGBT 7元件組合,滿足高增長(zhǎng)市場(chǎng)需求
近日,Microchip Technology公司宣布推出其最新的IGBT 7元件組合,該系列產(chǎn)品專為支持多種電力拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的電流和電壓范圍。
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