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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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預計短期內IGBT價格將保持穩定,中長期至少到2020年仍存上升空間,2018年1-8月IGBT價格雖仍較高,但波動逐步放緩,預計全球再次出現IGBT大...
回顧2020年,中國半導體行業在嚴峻的國際形勢下,通過國家政策引導、行業公司技術升級加快國產替代、社會資本支持等多方面努力取得了階段性成果。
新手誤區:“小管子發熱小,大管子發熱大。”IGBT的真相原來是這樣
Q: 實際應用中,IGBT的開關頻率上限應如何確定? A: 開關頻率是指IGBT在一秒鐘內的開關次數。而在確定的母線電壓和導通電流下,IGBT每次開關都...
英飛凌科技安全互聯系統事業部大中華區市場與業務合作總監南錚接受電子發燒友記者的采訪,集中解讀了三大問題。缺芯現象是如何造成的?物聯網芯片領域,英飛凌發力...
晶閘管和igbt的區別是什么? 晶閘管(Thyristor)和IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)都是常見的半...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是總線電壓幾百至上千伏的應用的理想之選。作為少數載流子器件,IGBT在該電壓范圍內具備優于MOSFET的導通特性,同時擁有與...
還記得2018年比亞迪發布的IGBT4.0技術嗎?當時,比亞迪放言IGBT4.0打破國外芯片壟斷,開創了“中國芯”。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”,...
IGBT工作中的特性: IGBT 的靜態特性, 靜態數據特性關鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關特性。 (1)光電流特性: IGBT 的光電流特性就是指...
集成豐富的保護功能:具備軟關斷、退飽和檢測(DESAT)、有源米勒電流鉗位、欠壓鎖定保護(UVLO)、故障反饋輸出(DESAT & UVLO)等多種保護功能;
IGBT是一種高性能功率半導體器件,常用于驅動大功率負載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和B...
串聯諧振中頻感應爐采用IGBT中頻電源。IGBT中頻電源是一種新型的IGBT逆變器模塊,主要用來熔煉碳鋼,合金鋼,鑄鋼,有色金屬。IGBT中頻電源具有加...
芯派科技:在原有單管功率循環設備上增購了IGBT模塊功率循環測試系統
隨著電子行業的飛速發展,IGBT模塊在新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯網電子電力系統、智能電網、新能源裝備等新型產業應用領域得到了更廣泛的應用,與...
igbt逆變電路工作原理? IGBT逆變電路是一種用于變換直流信號轉換為交流信號的電路。它們常用于電力電子設備中,例如交流驅動電機,太陽能光伏發電系統以...
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