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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7規格書參數立即下載
2023-04-03 標簽:IGBT 375 0
SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)20A600V單管igbt規格書參數立即下載
2023-04-03 標簽:IGBT 392 0
2022-07-04 標簽:IGBT 175 0
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