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新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點及功能分析

尼康公司的D2H單反數(shù)字相機(jī)中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面有了較大改進(jìn)，與CCD、CMOS圖像...

2019-12-18 標(biāo)簽：傳感器 mosfet jfet 4585 0

恒流二極管的工作原理、特性及應(yīng)用

恒流二極管或CCD是一種特殊類型的二極管，允許其最大限值的恒定電流量。它也被稱為限流二極管“CLD”或抗電流二極管“CRD”。它允許通過它的電流上升到特...

2023-07-23 標(biāo)簽：傳感器 CCD 二極管 3504 0

采用N溝JFET與PNP型三極管的放大電路設(shè)計

下圖是一個采用N溝JFET與一只PNP型三極管組合而成的一個放大電路，原理上采用輸入阻抗高的FET作為源極接地的放大電路，第二級采用提高放大倍數(shù)的三極管...

2022-10-18 標(biāo)簽：三極管放大電路 JFET 3363 0

場效應(yīng)管的工作原理和種類

場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor，簡稱 FET)是一種三端半導(dǎo)體器件，其特點是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...

2023-02-25 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 JFET 3181 0

盤點MOS管傳輸特性曲線的細(xì)微之處

這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構(gòu)造，如下圖所示，柵極和源極之間就是一個耗盡層（PN結(jié)）。

2023-01-29 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管負(fù)電壓 2961 0

什么是場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管的電路符號

場效應(yīng)管，即場效應(yīng)晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。

2024-02-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 JFET FET 2557 0

一文詳解場效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 JFET 2511 0

功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))...

2023-10-18 標(biāo)簽：二極管 MOSFET JFET 2462 0

3路有源交叉網(wǎng)絡(luò)電路的原理圖分享

這是3路有源交叉網(wǎng)絡(luò)電路的原理圖，該電路在音頻放大器系統(tǒng)中得到了大量應(yīng)用。該電路的核心是美國國家半導(dǎo)體公司的IC LF353，它是一款具有內(nèi)部補(bǔ)償輸入失...

2023-04-02 標(biāo)簽：原理圖 JFET 交叉網(wǎng)絡(luò) 2437 0

JFET與MOSFET的區(qū)別

JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）與MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）在電子工程領(lǐng)域中都扮演著重要角色，盡管它們都屬于場效應(yīng)晶體管（FET）家族，但...

2024-10-07 標(biāo)簽：MOSFET JFET 晶體管 2347 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET幾種常見的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒有JFET效應(yīng)，寄生...

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻 JFET SiC 2176 0

4×JFET緩沖放大器將噪聲降低一半

在許多電子電路中，總是需要設(shè)備將一個電路與另一個電路隔離或分離。這種特殊設(shè)備稱為緩沖區(qū)。緩沖器是一種單位增益放大器，具有極高的輸入電阻和極低的輸出電阻。...

2023-01-05 標(biāo)簽：電源放大器緩沖器 2172 0

電源設(shè)計筆記:適用于高性能應(yīng)用的SiC JFET

本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導(dǎo)性的;此組件不再可用。但是這種簡單的方法也可以應(yīng)用于其他新組件。在接下...

2022-07-29 標(biāo)簽：電源設(shè)計 JFET SiC 2103 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET JFET 功率器件 2097 0

場效應(yīng)管的相關(guān)知識

今天我們來了解一下場效應(yīng)管，英文名叫Filed Effect Transistor ，簡稱FET，也是一種具有PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。

2023-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 JFET 2052 0

音頻放大器電路圖分享

音頻放大器是一種電子設(shè)備，用于放大音頻信號，以便在揚(yáng)聲器或其他音頻設(shè)備中播放。音頻放大器通常用于音響系統(tǒng)、電視機(jī)、收音機(jī)等多媒體設(shè)備中。音頻放大器的工作...

2024-01-08 標(biāo)簽：電路圖揚(yáng)聲器 JFET 1968 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。

2023-04-01 標(biāo)簽：MOSFET JFET SiC 1966 0

場效應(yīng)晶體管的類型及特點

場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動。

2024-02-22 標(biāo)簽：MOSFET JFET 場效應(yīng)晶體管 1710 0

低功耗JFET輸入運(yùn)算放大器簡介

在工業(yè)儀器儀表系統(tǒng)控制設(shè)備領(lǐng)域，高性能、低功耗運(yùn)放芯片需求日益增加。中微愛芯推出的AiP061/2/4芯片，分別為單通道、雙通道和四通道的低功耗JFET...

2023-11-01 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器 JFET 低功耗 1653 0

通用BJT/JFET/MOSFET測試儀電路分享

這款有用的晶體管測試儀允許用戶快速檢查 NPN/PNP 晶體管、JFET 或（V）MOSFET 的功能，并適當(dāng)?shù)卮_定其端子或引腳的方向。

2023-04-29 標(biāo)簽：JFET 晶體管晶體管測試儀 1574 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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