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什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET
什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET 場(chǎng)效應(yīng)管是通過改變外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)控制其導(dǎo)電能力的半導(dǎo)體器件。 它不僅具有雙極型三極管的體積小,
2010-03-05 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管JFET 1.7萬(wàn) 2
在高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢(shì)
電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類型進(jìn)行分類:雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)或是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。一些放大器同時(shí)使用這兩種晶體管,在...
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,JFET):JFET是由p-n結(jié)柵極(G)與源極(S)和漏極(D)構(gòu)...
2020-08-07 標(biāo)簽:JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8416 0
JFET級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)恒定精確電流源的方法
很多工藝控制傳感器需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后,電壓基準(zhǔn)電路IC1就可以構(gòu)成一個(gè)恒定和精確的電流源。但是,該電流源的誤差與R1和IC...
MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿 gs電阻能保護(hù)MOS嗎
MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開關(guān),主要用來(lái)完成信號(hào)鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:JFET模擬開關(guān)MOS 3498 0
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它...
2023-11-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3340 0
SemiSouth發(fā)布耐壓為650V和1700V的SiC制JFET
美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)...
2012-05-21 標(biāo)簽:jfet半導(dǎo)體芯片to220封裝 2672 0
通用、低功耗、精密、JFET運(yùn)放及比較器產(chǎn)品線一覽
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-12-12 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器比較器JFET 2201 0
業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器出世 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器,其可實(shí)現(xiàn)3 倍...
Intersil公司推出新JFET輸入運(yùn)算放大器ISL282
全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司宣布推出其新JFET輸入運(yùn)算放大器產(chǎn)品家族的第一個(gè)成員 --- ISL28210,
2010-09-29 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器JFET 961 0
DYTRAN 3056系列通用加速度計(jì)的特點(diǎn)
DYTRAN?3056系列是一款經(jīng)濟(jì)高效的單軸IEPE加速度計(jì),具有TEDS功能。靈敏度范圍從1mV/g到500mv/g DYTRAN 3056系列設(shè)計(jì)...
安森美收購(gòu)碳化硅JFET技術(shù),強(qiáng)化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司安森美(onsemi)宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)計(jì)劃,已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,將以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Si...
Qorvo SiC JFET推動(dòng)固態(tài)斷路器革新
Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)產(chǎn)品;其采用緊湊型無(wú)引腳表面貼裝(TOLL)封裝,可帶來(lái)卓越的斷...
安森美1.15億美元收購(gòu)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)
近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購(gòu)計(jì)劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo的碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司Unit...
2024-12-11 標(biāo)簽:安森美JFET半導(dǎo)體材料 189 0
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