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LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電...
2017-12-08 標簽:ldmos 6.7萬 0
高功率寬帶放大器的設計是一件非常有挑戰性的工作,工程師需要在多個相互對立的設計參數之間進行折中。對于一個放大器用戶來說,不論是初始投資還是以后的運行成本...
針對LDMOS寬帶功率放大器匹配電路設計, 提出了一種快速、有效的方法。采用多節并聯導納匹配法得出寬帶匹配電路的初始值后, 利用ADS軟件對匹配網絡的S...
蜂窩放大器解決方案有許多不同的需求,例如不同的頻段和不同的功率水平。本研討會將討論恩智浦針對不同應用的不同射頻功率解決方案,包括PA的關健考慮點(從客戶...
LDMOS,全稱為Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor(側向雙擴散金屬氧化物半導體),是一...
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電...
2011-12-01 標簽:LDMOS 1.0萬 0
“現在正處于從LDMOS轉到氮化鎵的時間窗口,但只有三年。”能訊半導體總經理任勉表示,在氮化鎵領域耕耘十二年,能訊半導體迎來關鍵時間節點,抓住5G基站建...
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...
來源:RF技術社區 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續增長,成為各家射頻公司爭奪的焦點。 在...
到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元
報告指出,自 20 年前首款商用產品問世以來,GaN 技術已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...
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