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LDMOS（laterally-diffused metal-oxide semiconductor）是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。

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羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長市場壽命

羅徹斯特電子與Ampleon合作支持授權(quán)解決方案 Ampleon創(chuàng)辦于2015年，前身是NXP的射頻功率業(yè)務(wù)部門，在射頻功率領(lǐng)域擁有50多年的領(lǐng)導(dǎo)地位...

2024-08-12 標(biāo)簽：LDMOS 羅徹斯特射頻功率晶體管 805 0

江西薩瑞微獨家研發(fā)【一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法】

一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件設(shè)計領(lǐng)域，具體涉及一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法。在當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)競爭日趨激烈的背景下，LDM...

2024-04-13 標(biāo)簽：LDMOS 半導(dǎo)體器件 441 0

一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法

LDMOS場效應(yīng)管，即橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件。隨著對擊穿電壓要求的提高，對LDMOS場效應(yīng)管中場板要求也高。

2024-03-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 LDMOS 769 0

5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場

來源：RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署，使得在基站中大量使用的功率放大器（PA,簡稱功放）芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長，成為各家射頻公司爭奪的焦點。在...

2022-12-01 標(biāo)簽：GaN LDMOS 5G 3111 0

到2025年，整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元

報告指出，自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來，GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...

2020-09-21 標(biāo)簽：GaN LDMOS 5G 2591 0

GaN步步緊逼，LDMOS路在何方？

在射頻和功率應(yīng)用中，氮化鎵（GaN）技術(shù)正在變得日益盛行。

2019-01-19 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 LDMOS 7164 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年。”能訊半導(dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點，抓住5G基站建...

2018-10-19 標(biāo)簽：氮化鎵 LDMOS 7745 0

Ampleon為HF、VHF和ISM應(yīng)用提供LDMOS RF功率晶體管

Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。

2016-01-13 標(biāo)簽：晶體管 LDMOS Ampleon 2058 0

超耐用LDMOS提升功率：恩智浦發(fā)布BLF188XR

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...

2013-08-13 標(biāo)簽：LDMOS 射頻功率晶體管 BLF188XR 4419 0

恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注...

2013-06-21 標(biāo)簽：恩智浦 LDMOS 功率晶體管 1711 0

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有...

2013-06-09 標(biāo)簽：飛思卡爾 GaN LDMOS 1963 0

英飛凌推出全新射頻功率LDMOS晶體管

英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效...

2012-07-15 標(biāo)簽：英飛凌晶體管 LDMOS 1430 0

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應(yīng)用類型

眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限...

2012-05-28 標(biāo)簽：射頻 ldmos 功率晶體管 1882 0

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

本文通過對基于 Freescale 生產(chǎn)的LDMOS 晶體管MW6IC2240構(gòu)成的射頻功率放大器研究，以及建立相應(yīng)的電路模型，主要研究了射頻功率放大器...

2012-04-24 標(biāo)簽：TD-SCDMA LDMOS 2106 0

LDMOS的性能與制造工藝

與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB

2011-12-01 標(biāo)簽：LDMOS 4200 0

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET和橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管LDMOSFET。

2011-12-01 標(biāo)簽：VDMOS LDMOS 3.8萬 0

LDMOS器件靜電放電失效原理

通過對不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護性能的分析對比，指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護方面的優(yōu)勢。

2011-12-01 標(biāo)簽：靜電放電 LDMOS 1.1萬 0

LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...

2011-12-01 標(biāo)簽：LDMOS 1.0萬 0

電源控制芯片中的過流保護設(shè)計

本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進行電...

2011-10-20 標(biāo)簽：過流保護 LDMOS 3406 0

飛思卡爾推出射頻高功率LDMOS晶體管

2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率...

2011-09-13 標(biāo)簽：飛思卡爾 LDMOS 1288 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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