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標簽 > ldmos
LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電...
2011-12-01 標簽:LDMOS 1.0萬 0
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉到氮化鎵的時間窗口,但只有三年。”能訊半導體總經(jīng)理任勉表示,在氮化鎵領域耕耘十二年,能訊半導體迎來關鍵時間節(jié)點,抓住5G基站建...
超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發(fā)布BLF188XR
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...
來源:RF技術社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長,成為各家射頻公司爭奪的焦點。 在...
到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元
報告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來,GaN 技術已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...
Ampleon為HF、VHF和ISM應用提供LDMOS RF功率晶體管
Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術。
日前,射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵(GaN)晶體管,所有...
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限...
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關注...
英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設備和雷達系統(tǒng)的脈沖應用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術,全新推出的器件具備高能效...
2011年9月9日,德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管,該產(chǎn)品結合了業(yè)界最高的輸出功率、效率...
英飛凌推出第九代產(chǎn)品大功率管LDMOS晶體管系列
英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司是全球領先的半導體公司之一,其高可靠性,高質量的產(chǎn)品覆蓋了模擬和混合信號、射頻、功率以及...
用于雷達100W LDMOS晶體管ILD2731M140和I
Integratech推出用于雷達的100W LDMOS晶體管,ILD2731M140和ILD3135M180 LDMOS晶體管分別工作在2.7GHz~...
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