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標簽 > LMG5200
LMG5200器件集成了 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級,采用增強模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級解決方案,該器件配有用戶友好型接口且更為出色,采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅動器提供驅動。
LMG5200器件集成了 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級,采用增強模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級解決方案,該器件配有用戶友好型接口且更為出色,采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅動器提供驅動。
GaN FET 在功率轉換方面的優勢顯著,能夠承受高達 12V 的輸入電壓,與 TPS53632G 控制器搭配使用時,LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉換為負載點電壓 (0.5-1.5V)。
當測定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間時,即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您...
相較于以往使用的硅晶體管,氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應用在同等的電壓下以更高的轉換頻率運行。這意味著,在同樣的條件下,GaN可實現比基于硅材料...
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