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標簽 > mdd
MDD是國內少數采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發與創新的基礎上,積累了厚實的研發設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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SS26F | SS26F |
獲取價格
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1SMA4740A | 1SMA4740A |
獲取價格
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79L09 | 79L09 |
獲取價格
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SK84C | SK84C |
獲取價格
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BZT52C56-XW | BZT52C56-XW |
獲取價格
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SM05C | SM05C |
獲取價格
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SS2200B | SS2200B |
獲取價格
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R5000 | R5000 |
獲取價格
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SS28 | 肖特基二極管 VR=80V IF=2A VF=0.85V IR=500uA |
獲取價格
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ST54BF | ST54BF |
獲取價格
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SS34AHE | SS34AHE |
獲取價格
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US2GB | 快/超快恢復二極管 電壓:400V 電流:2A SMB(DO-214AA) |
獲取價格
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MDD10N65F | VDSS(DS最小反向擊穿電壓):650V,ID(DS最大平均電流):10.0A,RDS(on)(DS導通內阻):0.81Ω@VGS=10V 應用:適配器,充電器、LED驅動、PFC電路 |
獲取價格
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MDD2302 | MOSFETs N-溝道 20V 4A SOT23 舊型號SI2302 |
獲取價格
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MDD2301 | VDSS(DS最小反向擊穿電壓):-20V,ID(DS最大平均電流):-3.0A,RDS(on)(DS導通內阻):70mΩ@4.5V 應用:通訊模塊、工業控制、人工智能、消費電子 |
獲取價格
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MDD7N65F | VDSS(DS最小反向擊穿電壓):650V,ID(DS最大平均電流):7.0A,RDS(on)(DS導通內阻):1.2Ω@VGS=10V 應用:適配器,充電器、LED驅動、PFC電路 |
獲取價格
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MDD7N65D | VDSS(DS最小反向擊穿電壓):650V,ID(DS最大平均電流):7.0A,RDS(on)(DS導通內阻):1.2Ω@VGS=10V 應用:適配器,充電器、LED驅動、PFC電路 |
獲取價格
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2SC3356 | NPN VCEO=12V IC=100mA hFE=50~250 |
獲取價格
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ES2B | 快/超快恢復二極管 電壓:100V 電流:2A SMB(DO-214AA) |
獲取價格
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MBR2060CT | MBR2060CT |
獲取價格
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MMBT2222A-1P | MMBT2222A-1P |
獲取價格
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SS14G-SMAG | SS14G-SMAG |
獲取價格
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MBRX120 | MBRX120 |
獲取價格
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SMF190A | SMF190A |
獲取價格
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ST56B | ST56B |
獲取價格
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SS24F | SS24F |
獲取價格
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SK54C | 肖特基二極管 SMC 40V 5A |
獲取價格
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BZT52C8V2S-WD | BZT52C8V2S-WD |
獲取價格
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SS310F | SMAF SMT 100V 3A |
獲取價格
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SMBJ15A-T3 | ESD抑制器/TVS二極管 VRWM=15V VBR(Min)=16.7V VC=24.4V@24.6A SMB |
獲取價格
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