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mdd

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MDD是國內少數(shù)采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎上,積累了厚實的研發(fā)設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件

文章:27 瀏覽:477 帖子:1

mdd數(shù)據(jù)手冊

型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
RS1G VR=400V IF=1A VF=1.3V IR=5uA trr=150nS
MBRF20100CT 肖特基二極管 VR=100V IF=20A VF=0.85V IR=1000uA
SS1200 肖特基二極管 電壓:200V 電流:1A SMA(DO-214AC)
S5MC VR=1000V IF=5A VF=1.1V IR=5uA
US1MF 快/超快恢復二極管 VR=1000V IF=1A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS
LESD3Z5.0C Bi PD=100W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=10PF 個人消費電子、智能家居、監(jiān)控門禁、車載電子
SM712 PD=300W VRWM=12V&7V IPP=15A CJ=75PF 雙向 個人消費電子、智能家居、監(jiān)控門禁、車載電子
GBLC12C Bi PD=300W VRWM=12V VBR=13.3V VC=28.6V IPP=6A IR=1uA CJ=0.8PF
RS3MB VR=1000V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS
SI2305 P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
S3MB VR=1000V IF=3A VF=1.1V IR=5uA
ES2JB 快/超快恢復二極管 電壓:600V 電流:2A SMB(DO-214AA)
SS38 肖特基二極管 VR=80V IF=3A VF=0.85V IR=500uA
ESD5Z5V0 Uni PD=174W VRWM=5V VBR=6.2V VC=18.6V IPP=9.4A IR=0.08uA CJ=80PF
KBP206 橋式整流器/整流橋 VRM=600V,IO=2.0A,IFSM=60A,VF=1.0V,IR=5uA
SL54F 肖特基二極管 VR=40V IF=5A VF=0.45V IR=1000uA
SK54 正向壓降(Vf):550mV @ 5A 直流反向耐壓(Vr):40V 平均整流電流(Io):5A 40V,5A,VF=0.55V@5A
RL207 VR=1000V IF=2A 20pF
LM4007 VR=1000V IF=1A 15pF
1N5408 直流反向耐壓(Vr):1kV 平均整流電流(Io):3A 正向壓降(Vf):1.2V@3A 反向電流(Ir):5uA@1kV
1N5399 VR=1000V IF=1.5A 20pF
MBRF30100CT 肖特基二極管 VR=100V IF=30A VF=0.85V IR=1000uA
SS16F 肖特基二極管 VR=60V IF=1A VF=0.70V IR=500uA
ST310F VR=100V IF=3A VF=0.6V IR=0.1mA
MMSZ5230B PD=0.5W,VF=0.9V,VZ=4.7V 消費電子、PC、工控、通訊、汽車、智能控制
BSS138 VDSS(DS最小反向擊穿電壓):50V,ID(DS最大平均電流):500mA,RDS(on)(DS導通內阻):0.9Ω@10V 應用:通訊模塊、工業(yè)控制、人工智能、消費電子
79L08 PD=0.6W Io=100mA Vo=-8V
SM15C Bi PD=350W VRWM=15V VBR=16.7V VC=38V IPP=10A IR=1uA CJ=68PF
SD08C Bi PD=350W VRWM=8V VBR=8.5V VC=24V IPP=15A IR=2uA CJ=120PF 個人消費電子、智能家居、監(jiān)控門禁、車載電子
SD12 Uni PD=350W VRWM=12V VBR=13.3V VC=32V IPP=11A IR=1uA CJ=130PF 個人消費電子、智能家居、監(jiān)控門禁、車載電子

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