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標(biāo)簽 > MOS管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
本文通過(guò)分析器件制造中的影響因素,提出了版圖設(shè)計(jì)技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。
2025-04-01 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管版圖設(shè)計(jì) 95 0
音響功放、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在設(shè)計(jì)電路時(shí)卡在怎么選型的問(wèn)題?想用JCS60N10、IRF3710這兩款型號(hào),但又擔(d...
2025-03-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管步進(jìn)電機(jī) 100 0
預(yù)計(jì)2031年全球UPS不間斷電源設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)到172.1億美元的規(guī)模,年復(fù)增長(zhǎng)率在4.1%左右。面對(duì)該千億市...
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2025-03-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管功率半導(dǎo)體 219 0
通過(guò)開(kāi)關(guān)的打開(kāi)和閉合產(chǎn)生周期性的方波,如12V的輸入電壓,5V的輸出電壓,則方波的高低電平的比例是5:7;也就是PWM波,通過(guò)改變方波的...
2025-03-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管DC-DC 561 0
飛虹MOS管在工頻離網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用
出口外貿(mào)是國(guó)內(nèi)工廠企業(yè)2025年的一個(gè)熱門話題,對(duì)于專門從事太陽(yáng)能工頻離網(wǎng)逆變器的廠家更是爆火。因?yàn)殡S著全球?...
2025-03-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管逆變器 225 0
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2025-03-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管高頻逆變器 198 0
如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管mos管三個(gè)引腳立即下載
類別:電子資料 2025-03-07 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
類別:電子資料 2025-03-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管波形
類別:電子資料 2025-01-08 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
SIF2N60F場(chǎng)效應(yīng)管MOS管2A600V封裝TO-251/TO-252深愛(ài)半導(dǎo)體-深圳加權(quán)光電立即下載
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SIF24N50F深愛(ài)半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)管24A500V封裝TO-220F/TO-3P深圳加權(quán)光電立即下載
類別:電子資料 2024-07-23 標(biāo)簽:MOS管深愛(ài)半導(dǎo)體加權(quán)光電
類別:電子資料 2024-07-22 標(biāo)簽:MOS管深愛(ài)半導(dǎo)體
內(nèi)置MOS管 1A 大功率LED恒流驅(qū)動(dòng)器PT4115數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC中文資料 2024-04-16 標(biāo)簽:MOS管恒流驅(qū)動(dòng)器
新能源汽車、5G、AI推動(dòng)MOS管需求激增,國(guó)產(chǎn)替代加速工藝升級(jí)。合科泰MOS管覆蓋多場(chǎng)景需求,型號(hào)如HKTQ30N03(高頻開(kā...
2025-03-31 標(biāo)簽:MOS管 132 0
廣東佳訊電子 MOS管在儲(chǔ)能產(chǎn)品應(yīng)用方案
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MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)要點(diǎn)
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據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示,2025年全球個(gè)人智能音頻市場(chǎng)將進(jìn)一步增長(zhǎng),對(duì)比2024年的4.94億臺(tái)預(yù)計(jì)...
2025-03-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管音響電源 223 0
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2025-03-24 標(biāo)簽:MOS管分立器件電動(dòng)工具 141 0
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中科微電仍會(huì)緊跟技術(shù)趨勢(shì)、持續(xù)創(chuàng)新、加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展并注重綠色低碳發(fā)展以應(yīng...
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