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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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電機(jī)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)的關(guān)鍵要求
在現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)中的電力電子控制系統(tǒng),MOS管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高效、快速的開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、家電等設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)中。由于電...
2025-01-03 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)MOS 25 0
廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè),各類電子設(shè)備中的MOS管,其封裝形式直接影響器件的性能、散熱效果和應(yīng)用環(huán)境的適應(yīng)性。封裝兼容性是指在相同電氣性能和尺寸下,不同封裝...
MOS管的常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域分析
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分,因其開關(guān)速度快、功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中。根據(jù)功能和特性,MOS管...
隨著新材料和新技術(shù)的不斷發(fā)展,金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)和柔性石墨烯MOS(GrapheneMOS)作為兩種重要的半導(dǎo)體材料,在電子設(shè)備和器件的應(yīng)用中越...
臺(tái)懋科技TM50G03NF:大功率掃地機(jī)器人性能升級(jí)的優(yōu)選方案
隨著科技的不斷進(jìn)步和人們對(duì)生活品質(zhì)的追求提高,智能家居設(shè)備變得越來(lái)越普及。其中,大功率掃地機(jī)器人已成為主流。在大功率掃地機(jī)器人的核心部件——直流無(wú)刷電機(jī)...
2024-12-17 標(biāo)簽:大功率MOS無(wú)刷電機(jī) 119 0
1A線性鋰電池充電管理芯片應(yīng)用于電動(dòng)牙刷IP4054
一、概述IP4054是一款5V輸入,支持單節(jié)鋰電池充電管理芯片。IP4054集成功率MOS,使其在應(yīng)用時(shí)僅需極少的外圍器件,并有效減小整體方案的尺寸,降...
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6293,最高輸出5-12V/7-9W,輸入限流可調(diào)
芯片概述FP6293是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.14Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部...
2024-12-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器PWMMOS 162 0
學(xué)習(xí)開關(guān)電源,我們從基本的非隔離拓?fù)鋵W(xué)起,最終會(huì)來(lái)到LLC的軟開關(guān)拓?fù)洌琇LC需要的基礎(chǔ)知識(shí)比較多,很多入門者都覺(jué)得比較難,是很多人的攔路虎,包括做了很...
仁懋MOS產(chǎn)品助力智能門鎖,安全升級(jí),續(xù)航無(wú)憂!
隨著科技的不斷發(fā)展,智能家居產(chǎn)品已然走進(jìn)千家萬(wàn)戶。智能門鎖作為高頻使用的家居產(chǎn)品,其電池盒的性能直接影響到門鎖的使用壽命和安全性能。一款優(yōu)質(zhì)的電池盒,不...
MOS管在電池管理系統(tǒng)(BMS)中應(yīng)用的解析
隨著電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源存儲(chǔ)和便攜式半導(dǎo)體電子設(shè)備的快速發(fā)展,電池管理系統(tǒng)(BMS)在保障電池安全、延長(zhǎng)使用壽命和提高效率方面的作用變得越來(lái)越重...
2024-12-04 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MOSbms 579 0
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片 FP6291C,最高輸出5-12V/6-8W,輸入限流可調(diào),易過(guò)EMI
概述FP6291C是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組件...
2024-11-23 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 160 0
MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設(shè)計(jì)咋用它計(jì)算MOS會(huì)損壞嗎?
單脈沖雪崩能量簡(jiǎn)稱是EAS,這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù),我們一般在電路設(shè)計(jì)中拿這個(gè)參數(shù)來(lái)評(píng)估MOSFET 的瞬態(tài)過(guò)壓耐...
2024-11-25 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS 2129 0
三相逆變橋電路、原理、導(dǎo)通及相關(guān)問(wèn)題
三相逆變電路 2.導(dǎo)通原理 如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低)...
2024-11-19 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)PWMMOS 2003 0
一、行業(yè)背景隨著環(huán)保意識(shí)的不斷提高和城市交通擁堵問(wèn)題的日益嚴(yán)重,電動(dòng)平衡車以其小巧靈活、綠色環(huán)保等特點(diǎn),成為了人們出行的新選擇。一方面,電動(dòng)平衡車市場(chǎng)呈...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS平衡車電動(dòng)平衡車 238 0
MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析
MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)O...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 2774 1
MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容?居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題?
Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開關(guān)瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6291,最高輸出5-12V/5-7W,輸入限流可調(diào)
芯片概述FP6291是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。FP6291它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多...
2024-11-09 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 286 0
1、儲(chǔ)能交流器(PCS)儲(chǔ)能變流器(PCS)的定義儲(chǔ)能變流器,又稱雙向儲(chǔ)能逆變器,英文名PCS(PowerConversionSystem),是儲(chǔ)能系統(tǒng)...
2024-11-08 標(biāo)簽:MOSPCS儲(chǔ)能變流器 384 0
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