MOS管防反接電路

一、使用MOS管防反接的理由電池供電產(chǎn)品中,防止電池反接是必需考慮的，最簡單、最低成本的方案：在電源輸入中串一個(gè)二極管。但是，二極管有0.7V左右的壓降...

2023-12-03 標(biāo)簽：MOS電池防反接電路 3332 0

一文詳解二極管在ESD防護(hù)中的應(yīng)用

Lg越大，P-WeLL的長度越大，P-WeLL的阱電阻越大，面對ESD的過沖電壓越高，開啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大，其壽命越長，從...

2023-12-04 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管ESD 2571 0

國產(chǎn)化顯示器接口芯片：Type-C接口臺(tái)式顯示器方案

LDR6020P 是帶有 3 組 6 路 DRP USB-C通道（不需要另外像其他家方案需通過外圍去切換CC通道） 及 PD 通信協(xié)議處理模塊和 USB...

2023-12-02 標(biāo)簽：顯示器通信協(xié)議顯示屏 1079 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們詳細(xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系，即一維空間的物理關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 683 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 975 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（2）

上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運(yùn)動(dòng)相互影響，這個(gè)影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 728 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（2）

上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 873 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（1）

在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中，特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板，即所有電流都通過MOS溝道，實(shí)際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流...

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT晶體管MOS 1456 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu)，因?yàn)殛枠O和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 871 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（2）

上一節(jié)的分析中，僅考慮了PIN1，而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接，而PIN2則與基區(qū)相連接。

2023-11-30 標(biāo)簽：IGBTMOS載流子 1037 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（1）

分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實(shí)際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單

2023-11-30 標(biāo)簽：二極管IGBTMOS 1990 0

四種半導(dǎo)體器件基本結(jié)構(gòu)

按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由...

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體MOS 3378 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(2)

MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié)，就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的，此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果，源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1539 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(1)

金屬-絕緣體（氧化層）-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu)，金屬作為柵極，當(dāng)柵極零偏時(shí)，理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的，意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒有凈電荷存在。

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體MOS 3717 0

基于XL7005A的系統(tǒng)帶載啟動(dòng)異常剖析（2）

　BOOST 調(diào)整器帶載上電時(shí)，前級電源正常開啟，使用熱插拔上電，可以正常啟動(dòng)，但控制電源 ON/OFF 來上電，卻無法正常工作。

2023-11-30 標(biāo)簽：BoostMOS調(diào)整器 1947 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（下）

上一章我們講到圖片的變化趨勢，可以按照相同的方式進(jìn)行分析，即 柵極與漏極極之間的電容。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBTMOS等效電路 1237 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（上）

MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。

2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTMOS 2101 0

與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)？

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1219 0

PN結(jié)對IGBT器件的重要性

IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié)，在正向?qū)〞r(shí)，背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減小（即電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)）。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 917 0