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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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ACM6753無霍爾傳感器 三相正弦波直流無刷電機(jī)BLDC馬達(dá)驅(qū)動IC方案
引言 提到直流無刷電機(jī),那不得不提的就是有刷電機(jī)了。有刷電機(jī)有一個比較令人討厭的缺點:那就是“吵”。因為電刷和換向環(huán)需要時刻不停地摩擦,才能給電樞供電。...
FP6296是一顆電流控制模式升壓轉(zhuǎn)換器,脈波寬度調(diào)變(PWM),內(nèi)置15m?/10A/14V MOS,能做大功率高轉(zhuǎn)換效率,周邊元件少節(jié)省空間,適合用...
根據(jù)具體要求來選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);這樣的一個開關(guān)電源多選擇反激式(flyback)基本上可以滿足要求。在這里我會更多的選擇是經(jīng)驗公式來計算,有需要分析的...
2023-01-05 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS 1764 0
7-30V輸入 內(nèi)置MOS 升壓型恒流驅(qū)動芯片 AP9185
概述 世微AP9185 是一款高效率、高精度的升壓型大功率 LED 燈恒流驅(qū)動器芯片。 世微AP9185 內(nèi)置高精度誤差放大器,固定關(guān)斷時間控制電路,恒...
世微AP5101B 是一款高壓線性 LED 恒流芯片,外圍簡單、內(nèi)置功率管,適用于6- 60V 輸入的高精度降壓 LED 恒流驅(qū)動芯片。電流1.0A。
2022-12-22 標(biāo)簽:ledMOS恒流驅(qū)動芯片 948 0
升壓恒壓IC,輸出電壓可調(diào) 內(nèi)置MOS AP8660
概述 AP8660是一款電流模式升壓ICDC-DC恒壓IC。 其PWM電路內(nèi)置0.25Ω功率內(nèi)置MOS管,使該穩(wěn)壓器具有高功效。 內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)也最多可減...
外置MOS 開關(guān)型 PWM調(diào)光 降壓恒流驅(qū)動芯片
恒流IC,電源IC,電子IC,驅(qū)動IC,MOS管和降壓IC,升壓IC產(chǎn)品
電容的使用環(huán)境還分電路內(nèi)部環(huán)境和電路外部環(huán)境,電路內(nèi)部環(huán)境包括頻率、電壓值、電流值、電容在電路中的主要作用等;根據(jù)電路頻率可以確定電容種類;根據(jù)電壓值可...
2022-12-14 標(biāo)簽:電容器開關(guān)電源MOS 3072 0
RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在電動車控制器中的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT產(chǎn)品,具有參數(shù)一致性高、抗沖擊能力強(qiáng)等特點為電動車駕乘提供有力保障
場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,而晶體管是既利用多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,由于少數(shù)載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對于環(huán)境變化較大...
2022-12-09 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管MOS 1595 0
AP5174車燈IC內(nèi)置MOS_DCDC降壓恒流芯片帶過溫保護(hù)
產(chǎn)品描述 AP5174 是一款效率高,穩(wěn)定可靠的 LED 燈恒流驅(qū)動控制芯片,內(nèi)置高精度比較器,固定關(guān)斷時間控制電路,恒流驅(qū)動電路等,特別適合大功率 L...
AP5127平均電流型LED 降壓恒流驅(qū)動器兩路切換內(nèi)置MOS
產(chǎn)品描述 AP5127 是一款 PWM 工作模式,高效率、外圍簡單、內(nèi)置功率管,適用于 12-100V 輸入的高精度降壓 LED 恒流驅(qū)動芯片。 輸出功...
DW03D 單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)IC 內(nèi)置MOS
概述 DW03D產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護(hù)的高集成度解決方案。DW03D包括了先進(jìn)的功率MOSFET,高精度的電壓檢測電路和延時電路。 ...
徳普低中壓MOS,高耐壓,地內(nèi)阻,打線好,無卡點,客戶真實測試耐壓值遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)。
Rdson一致性好,可以有效控制損耗,降低溫升 ? EAS穩(wěn)定,滿足鋰電池短路和大電流沖擊 ? Vth一致性好,支持BMS應(yīng)用中多顆并聯(lián)使用 ? 廣泛應(yīng)...
歐姆龍MOS FET繼電器:歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢有那些
歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢有那些?MOS FET繼電器是一種集兩種產(chǎn)品特性為一體的電子元器件,包括機(jī)械繼電器(簧片繼電器)及半導(dǎo)體開關(guān)裝置。與其他普...
嵌入式源漏選擇性外延(Embedded Source and Drain Selective Epitaxy)
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層,利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長,僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
①在MOS開關(guān)過程中,如果柵極電阻較小,發(fā)生了柵極電壓震蕩,多半是因為MOS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt,我們可以知道,柵極電阻小,開通...
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