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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲能電源上的應(yīng)用
便攜式儲能電源MOS管應(yīng)用,主逆變儲能單元,推薦“平面高壓MOS”系列;DC-DC單元,推薦“低壓MOS-SGT”系列
電路應(yīng)用丨MOS場效應(yīng)管作用開關(guān)
MOSFET很容易飽和,這就意味著說,MOSFET完全打開,且非常可靠,可以在飽和區(qū)域之間進行非常快速的切換,這就意味著MOSFET可以用作開關(guān),尤其是...
隨著現(xiàn)在車規(guī)級mos管應(yīng)用得到全面推廣,在不同工作環(huán)境下廣泛應(yīng)用普及,這就導(dǎo)致生產(chǎn)加工行業(yè)發(fā)展得到推動,各種不同型號種類層出不窮,為了在工作中發(fā)揮出重要...
MOS管在音響功放上的應(yīng)用MOS管在音響數(shù)字化的市場上,使用的頻率已經(jīng)越來越高了。目前應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣棚場效應(yīng)管(M...
輸入3.7V升壓5V,3.7V轉(zhuǎn)5V電路圖芯片
異步升壓IC,內(nèi)置3.5A,0.14Ω,16Vmos管,最高12V的輸出電壓(可調(diào)),最大輸出功率是10W,靜態(tài)功耗關(guān)斷電流0.1uA,可調(diào)式過流保護0...
RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS采用多層外延工藝,可對標英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品,滿足不同功率的適配器應(yīng)用
學(xué)技術(shù) | 氮化鎵(GaN)與硅(Si)的MOS開關(guān)比較
由于寬能隙功率元件的優(yōu)異切換性能,近幾年已經(jīng)漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對于系統(tǒng)的功率密度與效率的提升幫助有多少?原先所使用的以硅為基礎(chǔ)...
高壓MOS管4N65/7N65/10N65/12N65,士蘭微mos代理商!
MOS管是一種金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體,具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點,是中小功率應(yīng)用領(lǐng)域的主流開關(guān)器件,廣泛應(yīng)...
2022-09-15 標簽:MOS 2452 0
IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士蘭微MOS代理
MOSFET作為功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于汽車、家電、光伏、風(fēng)電、軌交等領(lǐng)域,長期以來一直被國外廠商占據(jù)著大部分市場份額,受益于龐大的終端消費需求,國內(nèi)終端廠...
2022-06-27 標簽:MOS 1210 0
6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征...
2022-01-07 標簽:MOS 740 0
8.2.8 UMOS的先進設(shè)計∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.8UMOS的先進設(shè)計8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用...
2022-03-01 標簽:MOS 909 0
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