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標(biāo)簽 > moseft

moseft

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MOSFET即金氧半場(chǎng)效晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管,MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱上包括NMOS、PMOS等。

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moseft技術(shù)

瞬態(tài)熱測(cè)試在內(nèi)存模塊熱分析中的應(yīng)用

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與傳統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)熱特性技術(shù)相比,電子瞬態(tài)測(cè)試方法具有精度高,復(fù)現(xiàn)性好和數(shù)據(jù)翔實(shí)等特點(diǎn),所以它已經(jīng)逐漸成為一種非常有用的熱分析工具。本文介紹了如何使用瞬態(tài)測(cè)試...

2023-07-20 標(biāo)簽:傳感器二極管內(nèi)存模塊 749 0

功率半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介2

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簡(jiǎn)介: 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...

2023-02-20 標(biāo)簽:PN功率器件MOSEFT 920 0

如何使用瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)對(duì)內(nèi)存模塊進(jìn)行熱分析

內(nèi)存模塊的熱損耗不斷增加,這就需要更高效的散熱設(shè)計(jì)。提高內(nèi)存模塊的散熱效率,就需要我們了解模塊中每一部分的傳熱路徑,熱阻和熱容。傳統(tǒng)的熱穩(wěn)態(tài)和JEDEC...

2022-10-11 標(biāo)簽:傳感器晶體管MOSEFT 1177 0

DC-DC同步降壓控制器MAX15026的性能特點(diǎn)及應(yīng)用范圍

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Maxim推出的低成本、DC-DC同步降壓控制器MAX15026,能夠驅(qū)動(dòng)外部MOSFET輸出高達(dá)25A的電流。

2021-02-03 標(biāo)簽:控制器服務(wù)器moseft 1624 0

IRFP4227PBF功率晶體管的特性及應(yīng)用

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此HEXFET功率MOSFET專門設(shè)計(jì)用于維持能量恢復(fù)和通過開關(guān)應(yīng)用在等離子顯示面板中。此MOSFET利用最新處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)每個(gè)硅區(qū)域和低脈沖的電阻。此...

2019-06-17 標(biāo)簽:面板晶體管moseft 1.2萬(wàn) 0

4N60器件的特性分析

UTC 4N60是一個(gè)高電壓MOSFET ,并設(shè)計(jì)成有更好的特性,如快速開關(guān)時(shí)間,低門電荷,低通態(tài)電阻,并具有高耐用雪崩的特點(diǎn)。這個(gè)功率MOSFET通常...

2019-05-14 標(biāo)簽:開關(guān)電源電荷moseft 1.0萬(wàn) 0

TOP264-271電源芯片的特點(diǎn)及引腳功能

TOP264-271是一款集成式開關(guān)模式電源芯片,將一個(gè)電流控制輸入到占空比的高電壓的漏極開路輸出功率MOSFET 。在正常操作期間的占空比功率MOSF...

2019-05-14 標(biāo)簽:電源芯片moseft 4.3萬(wàn) 0

兩款μModule穩(wěn)壓器的性能及設(shè)計(jì)整體解決方案

LTM4626和LTM4638是高效,降壓μModule?穩(wěn)壓器,能夠分別從3.1和3.1之間的輸入電壓產(chǎn)生12 A和15 A連續(xù)輸出電流V和20 V....

2019-04-15 標(biāo)簽:電容器穩(wěn)壓器moseft 2317 0

如何在Hot Swap電路設(shè)計(jì)中構(gòu)建MOSFET的安全工作區(qū)

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Hot Swap?電路設(shè)計(jì)中最具挑戰(zhàn)性的方面通常是驗(yàn)證不會(huì)超過MOSFET的安全工作區(qū)(SOA)。與LTspice IV ?一起分發(fā)的SOAtherm工...

2019-04-16 標(biāo)簽:仿真器moseft 5438 0

FPGA系統(tǒng)中有源電容放電電路設(shè)計(jì)需注意哪些問題

FPGA系統(tǒng)中有源電容放電電路設(shè)計(jì)需注意哪些問題

通過了解電容器組的大小,可以采用開放式方法對(duì)RC時(shí)間常數(shù)進(jìn)行放電。一旦電壓小于充電狀態(tài)的95%(在3×RC時(shí)間常數(shù)下發(fā)生),則假設(shè)電容器放電。

2019-03-29 標(biāo)簽:fpga電容器moseft 2644 0

用于背光小尺寸白光LED的電源管理方法

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大多數(shù)便攜式電子設(shè)各的小尺寸彩色LCD顯示器都采用白光LED作為背光源。這些LED驅(qū)動(dòng)電路由輸出電壓隨時(shí)間變化的電池供電。因此,最佳的LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)...

2019-07-03 標(biāo)簽:led電源管理moseft 3552 0

如何設(shè)計(jì)反激變換器的RCD吸收回路

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當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),就會(huì)有一個(gè)高壓尖刺出現(xiàn)在其漏極上。這是由于主變壓器的漏感和MOSFET輸出電容諧振造成的,在漏極上過高的電壓可能會(huì)擊穿MOSFET...

2019-04-19 標(biāo)簽:變壓器變換器moseft 1.2萬(wàn) 0

基于MATLAB仿真軟件對(duì)有源濾波器進(jìn)行分析研究

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  以往在煤礦電網(wǎng)諧波治理方面,通常是并接無源濾波器組,對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行固定式補(bǔ)償。由于提升機(jī)為短時(shí)循環(huán)工作制的負(fù)載,一個(gè)提升機(jī)循環(huán)分為加速、等速、減速和休止...

2019-07-10 標(biāo)簽:濾波器仿真PCB設(shè)計(jì) 4415 0

如何降低功率CMOS器件的有源和待機(jī)功耗和提高應(yīng)用功效

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三十多年來,本本體硅(bulk silicon)MSOFET工藝一直是晶體管器件所采用的主要CMOS工藝。我們非常熱衷于從縮小晶體管來提高密度和性能。在...

2019-05-17 標(biāo)簽:cmos晶體管moseft 3850 0

采用表面貼裝MLCC的電容器可以防止電弧放電

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隨著Vishay在高壓多層陶瓷電容器(MLCC)技術(shù)上的一系列突破,Vishsy制造出了一種新的表面貼裝MLCC,比以往任何類型的電容器都更適合鎮(zhèn)流器應(yīng)...

2019-05-17 標(biāo)簽:電容器二極管moseft 2915 0

工作于D類開關(guān)狀態(tài)的MOSFT管在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用

工作于D類開關(guān)狀態(tài)的MOSFT管在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中,利用MOS管的開關(guān)特性,可使整個(gè)射...

2019-05-17 標(biāo)簽:通信晶體管moseft 3855 0

采用TSMC 0.35m CMOS工藝實(shí)現(xiàn)射頻收/發(fā)開關(guān)的設(shè)計(jì)

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TD-SCDMA是英文Time Division-Synchronous Code Division Multiple Access(時(shí)分同步碼分多址)...

2019-06-08 標(biāo)簽:射頻天線moseft 3161 0

在PhotoM0S中構(gòu)成的光電元件的特點(diǎn)與構(gòu)造

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圖1 是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出元件的功率MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)型元件...

2019-06-12 標(biāo)簽:功率耦合器moseft 2388 0

利用Si9979Cs和MOSFET功率管實(shí)現(xiàn)數(shù)控直流電動(dòng)機(jī)伺服控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

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  無刷直流電機(jī)是一種近年來隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展而發(fā)展起來的一種新型伺服電機(jī)。 與直流電機(jī)比較,電機(jī)用換向電路取代換向器(整流子)和電刷組成的機(jī)械接觸...

2019-06-24 標(biāo)簽:dsp電動(dòng)機(jī)moseft 3229 0

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    SDK
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      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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