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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統上應用于諸如微處理器、微控制器等數位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。
電源ic U5402通過硬件電路實現雙通道輸入的信號互鎖,確保高低側驅動信號無法同時導通,避免功率器件(如MOSFET/IGBT)因直通電流導致短路損壞...
UCC28C41-Q1 汽車類、20V、低功耗電流模式 PWM 控制器數據手冊
UCC28C4x-Q1 系列支持具有 UVLO 和最大占空比限制選項的固定頻率、峰值電流模式反激式實施。UCC28C4X-Q1 可配置使用輔助繞組的初級...
LM5045系列 帶集成 MOSFET 驅動器的全橋式 PWM 控制器數據手冊
LM5045 PWM 控制器包含實現全橋所需的所有 特性 拓撲功率轉換器采用電流模式或電壓模式控制。這個設備是 旨在工作在輸入電壓高達 100 的隔離式...
LM5046系列 帶集成 MOSFET 驅動器的相移全橋 PWM 控制器數據手冊
LM5046 PWM 控制器包含實現 采用電流模式或電壓模式的相移全橋拓撲電源轉換器 控制。該器件旨在工作在隔離式 DC-DC 轉換器的初級側,具有 輸...
LT9435SQ N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETN溝道 41 0
LT9435ASQ P溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETp溝道 21 0
LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETN溝道 26 0
LT8844SL N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETN溝道 31 0
LT8820ESS帶ESD保護的共漏N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:MOSFETN溝道 32 0
LT8820EFH帶ESD保護的N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標簽:ESDMOSFETN溝道 37 0
LT8818ESL N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標簽:MOSFETN溝道 28 0
LT8818EFXT 12V共漏雙通道N溝道MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標簽:MOSFETN溝道 20 0
LT8816SL共漏雙通道N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標簽:MOSFETN溝道 26 0
LT8816SLB共漏雙通道N溝道增強型功率MOSFET規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標簽:MOSFETN溝道 49 0
新品 | EiceDRIVER? 6.5A 5.7 kVrms單通道柵極驅動器1ED314xMC12H
新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS單通道柵極驅動器1ED314xMC12HEiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅動器,具有6.5A峰值...
Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK0...
從陳星弼院士無奈賣出超結MOSFET專利到碳化硅功率半導體中國龍崛起
中國功率半導體行業的發展歷程是一部從技術引進到自主創新、從受制于人到逐步突破的篳路藍縷奮斗史。從陳星弼院士的超結MOSFET專利到全國產碳化硅(SiC)...
五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場,金剛石MOSFET聚焦極端需求
金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導體的潛力 金剛石MOSFET被認為是下一代功率半導體的重要發展方向,尤其在高壓、高溫、高頻等極端環境下展現出顯著優...
納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011,PIN TO PIN AP20G02BDF
NX7011采用先進的溝槽技術,提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個獨立的MOSFET且漏源導通電阻低,可最大限度地降低損耗并減少...
國產碳化硅(SiC)MOSFET行業近年來在政策扶持、市場需求和技術突破的推動下快速發展,但伴隨的行業亂象也暴露出深層次的結構性問題,對中國功率半導體行...
碳化硅MOSFET充電樁電源模塊爆雷時間點預計始于2026年
充電樁電源模塊客戶擔憂現有碳化硅(SiC)MOSFET供應商的柵極可靠性問題可能在未來三五年內“爆雷”,其科學依據主要基于以下關鍵點: 碳化硅MOSFE...
長期工作的充電樁電源模塊中碳化硅MOSFET失效率越來越高的罪魁禍首:柵氧可靠性埋了大雷
近期很多充電運營商反應采用國產碳化硅MOSFET的工作僅僅一兩年的充電樁電源模塊故障頻率越用越高,結合常見碳化硅MOSFET的失效問題,不難看出充電樁電...
算力革命背后的隱形力量:仁懋MOSFET如何讓服務器電源效率狂飆?
算力時代的高壓挑戰隨著AI大模型訓練集群規模突破10萬卡,單機柜功率密度已飆升至30kW,傳統服務器電源的MOSFET面臨極限考驗——1%的效率差距意味...
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