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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝...
LM5100C 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝...
LM5101C 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝...
UCC27200 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2720x 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可實...
2025-05-21 標(biāo)簽:CMOSMOSFET驅(qū)動(dòng)器 167 0
UCC27201 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2720x 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可實...
LM5109B 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5109B 器件是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) 同步降壓或半橋中的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 配置。浮動(d...
2025-05-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 151 0
UCC27424-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4-A/4-A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27423 和 UCC27424 高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可在 電容負(fù)載。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng) – 雙反相和雙同相 司機(jī...
2025-05-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器封裝 158 0
TPS28226 具有 8V UVLO 的 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,用于同步整流數(shù)據(jù)手冊(cè)
這是一款高速驅(qū)動(dòng)器,適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制功能的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器經...
UCC27324-Q1 汽車非反相 4A/4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27324-Q1 高速雙 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可向容性負(fù)載提供大峰值電流。這些驅(qū)動(dòng)器采用一種本質(zhì)上將擊穿電流降至最低的設(shè)計(j...
UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可...
UCC27425-Q1 具有反相/同相輸入的汽車類 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2742x-Q1 系列器件是高速雙通道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,能夠向容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng):雙反相和雙...
UCC27423-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,帶反相輸入數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27423 和 UCC27424 高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可在 電容負(fù)載。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng) – 雙反相和雙同相 司機(jī...
UCC27321-Q1 具有反相輸入和分離輸出的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2732x-Q1 系列高速驅(qū)動(dòng)器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(...
2025-05-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 150 0
LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當(dāng)于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供...
SM72295 具有集成電流感應(yīng)放大器的 3A、100V 全橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
SM72295 設(shè)計(jì)用于在全橋中驅(qū)動(dòng) 4 個(gè)分立的 N 型 MOSFET 配置。驅(qū)動(dòng)器提供 3A 峰值電流,可實(shí)現(xiàn...
2025-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制電路 226 0
UCC27322-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 9-A/9-A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有分離輸出和使能功能數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27322 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9 A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)最大的 MOSFE...
SM74101 3-A/7-A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,帶輸入接地?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)
SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器在微型 WSON-6 中提供高峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流 封裝(相當(dāng)于 SOT23 的封裝),具有更高的高頻所需的功率...
SM74104 具有 8V UVLO 和自適應(yīng)延遲的 1.8A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
SM74104 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) 采用同步降壓配置的側(cè)面 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)...
2025-05-20 標(biāo)簽:電容器MOSFET電平轉(zhuǎn)換器 193 0
UCC27211 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 4A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27211 驅(qū)動(dòng)器基于流行的 UCC27201 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,但提供了幾項(xiàng)顯著的性能改進(jìn)。峰值輸出上拉和下拉電流已增加到 ...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器整流二極管 182 0
UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。該 UCC27524 增...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 236 0
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