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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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關于SoC組成部分之一的嵌入式存儲器,這些技術原理您都知道嗎?
隨著超大規模集成電路工藝的發展,人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規模...
MRAM,ReRAM,Xpoint這三個技術是目前市場的焦點
ReRAM之前曾經因為HPE的“The Machine”熱過一陣,記得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作...
本文旨在討論各種MRAM的技術路徑,其中包括磁場驅動型、自旋轉移扭矩(spin-transfer torque:STT)、自旋軌道扭矩(spin-orb...
在5nm節點上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節能效果
IMEC進行了設計技術協同優化(DTCO),以確定5nm節點上STT-MRAM單元的要求和規格,并得出了一個結論,高性能STT-MRAM位單元的MRAM...
IBM推出新一代FlashSystem 19TB NVMe SSD強勢登場
在IBM新一代的FlashSystem存儲設備中,將利用磁阻RAM(MRAM)來做寫緩存,而不再使用傳統的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、...
2018-12-02 標簽:IBMMRAMFlashSystem 3906 0
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRA...
探索存內計算—基于 SRAM 的存內計算與基于 MRAM 的存算一體的探究
本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術在計算領域的應用和發展。首先,介紹了基于SRAM的存內邏輯計算技術,包括其原理、優勢以及在神經網絡領域...
Everspin展示了28nm單機1Gb STT-MRAM芯片
everspin在磁存儲器設計,制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權...
全新的存儲器MRAM,ReRAM,PCRAM,相對于傳統存儲器來說,具有很多方面獨特的優勢,能夠在計算系統層級實現更優的計算性能、功耗和成本。
與其他標準主流存儲器不同,Everspin的MRAM可在惡劣環境下實現數據完整性和可靠性,并在斷電且無需電池的情況下即時保存事件。
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