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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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亙存科技成立于2019年,是一家以mram技術為中心,致力于設計、開發和銷售相關產品的Fabless企業。總公司設在深圳,在上海、蘇州等地設有r&...
作為一種磁性技術,MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎,而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大,在內存領域,尺寸意味著成本。
nvSRAM使用傳統的捕獲電荷技術進行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導致數據損耗,因此數據可能會泄漏。
上海矽朋微電子怎么樣?MRAM榮獲“中國半導體市場年度最佳產品獎”
? — 芯紐帶?新未來?—7月20日,由江蘇省工業和信息化廳、南京江北新區管理委員會主辦,江蘇省半導體行業協會、南京江北新區產業技術創研園、南京浦口經濟...
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數量的引腳來快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言,是最為理想的存儲器。適用于工...
MRAM在數據記錄應用中,數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。可以記錄系統內外部發生的事件;使用歷史;環境參數 ;機器狀態;用于分析目...
RAID控制卡的日志存儲器存放重要數據,如日志和數據寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下,控制器查詢日志內存,以了解從哪里開始恢復。
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片,組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序,續航時間無限...
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術,與傳統的存儲器技術相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
其數據始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續...
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執行)功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl(串行外圍接口)是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串...
因需要持續、反復地保存數據,內存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優勢包括:與SRAM不同,無需電壓...
工業機械專用Netsol Parallel STT-MRAM
工業機械是指在工業建設及工業制造過程中所使用的代替人工勞動力或輔助人工勞動力的機械設備。 ? ? ??工業設備通常即使在惡劣的操作環境中,也需要防止數據...
專門用于便攜式醫療機械Netsol Serial STT-MRAM
Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限耐用性。醫療器械理想的存儲器用于快速存儲、檢索數據和程序的應用程序,至少應用于數量引腳。它...
由于智能電表必須不斷記錄數據,因此需要高耐久性的內存。另外,OTA功能的加入,使得內存的高效寫入速度更加關鍵。MRAM的應用是最理想的存儲器,它能滿足智...
ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持,ReRAM 由瑞薩(通過收購 Adesto)、富士通、Microchip...
xSPI STT-MRAM--EM064LX產品系列的主要優勢
Everspin的xSPI STT-MRAM產品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數SPI兼容總線接口,時鐘頻率高達200MHz...
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