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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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Everspin MRAM是面向數據持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲器MR...
MR10Q010是理想的存儲器解決方案,適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數據和程序的應用。Quad S...
MRAM是一種非易失性存儲技術,可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用。基于MRAM的設備可以為“...
“持久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能、字節可尋址、非易失性存儲器設備。MRAM(磁性只讀存儲器)和FRAM(鐵電RAM)都聲稱具有相似的性...
MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度相結合,同時具有非易失性和節能性...
Everspin Technologies,Inc是設計制造MRAMSTT-MRAM的翹楚,其市場和應用領域涉及數據持久性和可靠性。完整性,低延遲和安全...
Everspin MRAM加強了RIM智能電表的即時非易失性
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強大的系統存儲優勢。 Everspin的4Mbit MR2...
Everspin半導體為環境苛刻的應用,如軍事、航空航天、工業和汽車系統等提供非易失性存儲技術。Angstrom Aerospace在其磁力計子系統中使...
MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設備,組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發性和高耐久性。該...
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起,同時始終保持非易失性...
對于長期處于困境的MRAM行業來說,自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉危機的革新技術。 MRAM轟轟烈烈地問世。但此后,MRAM在工藝發展和大容量方面并沒...
Everspin Technologies,Inc是設計制造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性...
SoC有基于應用程序的內存。這些存儲器是用于計算的半導體存儲器塊。半導體存儲器通常是指在單個硅片上制造的金屬氧化物半導體存儲器單元。內存類型包括: 易失...
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