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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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對于存儲器而言,重要的技術指標無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經有很多種類的產品做出了各種各樣的努力,但是始終只能偏重某一方面...
新型的存儲器既具有RAM的優點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
內存技術在幾十年的發展過程中性能提高了不少,但并沒有實質性的改變。因為這些內存產品都是基于動態隨機訪問存儲器DRAM的,一旦沒有持續的電力,所存儲的數據...
非易失性是指MRAM單元在關斷電源后仍可保持完整記億,功能雖與閃存類同,但本質各異。 閃存的非易失性不是閃存的固有屬性,而是靠兩個閃存反相器交叉耦合組成...
Rick Gottscho博士:下一代芯片在堆疊、微縮和檢驗方面的挑戰
泛林集團首席技術官Rick Gottscho博士接受了行業媒體Semiconductor Engineering (SE)的專訪。
一種稱為Universal Selector的新創新技術,它將顯著提高現有和新興存儲技術(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因為它將提供一種新...
盡管具有規模經濟性,但其他類型的存儲器仍具有AI應用程序的未來可能性。 MRAM通過受外加電壓控制的磁體的方向存儲數據的每一位。如果電壓低于翻轉位所需的...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優勢
Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚,在這些市場和應用中,數據持久性和完整性,低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個419...
高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數據保留能力和耐久性,適用于廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微米,讀取速度為10ns,讀取...
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構建未來的云存儲
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存...
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規模,廣泛采用。這是否會很快發生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。 MRA...
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
Everspin MRAM內存技術是如何工作的? Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
MR25H256是一個串行MRAM,具有使用串行外圍設備接口的芯片選擇(CS),串行輸入(SI),串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)的四針接口在邏輯上...
Everspin是設計制造和商業銷售MRAMSTT-MRAM的全球領導者,其市場和應用涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。Everspin在...
磁阻RAM(MRAM)是一種非易失性存儲技術,可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用。基于MRAM...
MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內存SRAM、DRAM及閃存的性能比較
新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現像的發現及隨后幾年巨磁阻材料的開發,直至巨磁阻磁頭GMR的制成與...
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