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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

NAND Flash與SD NAND的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異

NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文...

2025-03-13 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND FlaSh 298 0

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。

2025-03-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲器 190 0

【飛凌技術(shù)分享】從eMMC到NAND，嵌入式系統(tǒng)存儲的軟件優(yōu)化策略

存儲穩(wěn)定性直接關(guān)乎到最終產(chǎn)品的穩(wěn)定性，本文圍繞eMMC和NAND的特性做了對比介紹，目的是幫助研發(fā)工程師在實際開發(fā)產(chǎn)品過程中更簡單、更高效。

2025-02-21 標(biāo)簽：嵌入式 NAND emmc 893 0

CS創(chuàng)世SD NAND【貼片式sd卡】的測試使用說明

今天收到了來自深圳市雷龍發(fā)展有限公司寄來的存儲卡，它是一款自帶壞塊管理的貼片式NAND Flash，適用于嵌入式系統(tǒng)。SD NAND尺寸小巧，支持SPI...

2025-02-17 標(biāo)簽：mcu NAND 存儲卡 129 0

一文帶你了解什么是SD NAND存儲芯片

前言：隨著國內(nèi)市場對芯片的需求日益增加，國產(chǎn)中高端芯片在不斷的占領(lǐng)國內(nèi)市場甚至在國際市場都有一部分，越來越多的企業(yè)開始研究自己的芯片，這個芯片的種類繁...

2024-11-13 標(biāo)簽：NAND 存儲 SD NAND 1317 0

一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲器的區(qū)別

存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用： 1 NANDNAND Flash存儲器是Flash存儲器的一種...

2024-11-11 標(biāo)簽：NAND DDR emmc 7034 0

eMMC主控的定義和主要功能

eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲卡。eMMC采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的接口，把高容量NAND Flash...

2024-11-09 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 977 0

3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過在垂直方向上堆疊存儲單元，大幅提升了存儲密度。本文將簡...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D 1281 0

瀚海微SD NAND之SD 協(xié)議（34）1.8V信號的時序

固定數(shù)據(jù)窗口插卡輸出時序如下圖所示，SDR12、SDR25、SDR50的輸出時序。

2024-10-08 標(biāo)簽：NAND 信號時鐘 540 0

瀚海微SD NAND存儲功能描述（27）C_SIZE

該參數(shù)用于計算用戶的數(shù)據(jù)卡容量(不包括安全保護(hù)區(qū)域)，數(shù)據(jù)卡的內(nèi)存容量從C_SIZE、C_SIZE MULT和READ_BL_LEN表項計算。

2024-09-21 標(biāo)簽：電源 NAND 內(nèi)存 477 0

心率監(jiān)測儀使用的存儲產(chǎn)品

心率監(jiān)測儀可能會使用多種存儲產(chǎn)品來記錄和保存心率數(shù)據(jù)，具體取決于設(shè)備的設(shè)計、應(yīng)用場景和技術(shù)要求。

2024-09-21 標(biāo)簽：NAND 存儲卡 SD卡 416 0

瀚海微SD NAND存儲功能描述（24）擦除超時計算

擦除單元速度類規(guī)范定義了一個新的管理單元AU(分配單元)。擦除超時計算被定義為AU的基礎(chǔ)。SD存儲卡支持塊擦除，但擦除塊需要更多的時間，這是AU(部分擦...

2024-09-07 標(biāo)簽：NAND 存儲卡 SD 695 0

SD NAND SPI模式：如何實現(xiàn)低功耗運(yùn)行

最近，收到客戶反饋，使用我們SD NAND過程中，使用SPI模式，對SD完成操作后，SD沒有進(jìn)入低功耗模式，未對SD進(jìn)行任何操作的情況下測得的功耗仍在2...

2024-09-02 標(biāo)簽：mcu NAND SPI 611 0

SD NAND參考設(shè)計提示

一、電路設(shè)計1、參考電路：R1~R5(10K-100kΩ)是上拉電阻，當(dāng)SDNAND處于高阻抗模式時，保護(hù)CMD和DAT線免受總線浮動。即使主機(jī)使用SD...

2024-08-30 標(biāo)簽：上拉電阻 NAND 電路設(shè)計 419 0

JK觸發(fā)器的原理和功能

JK觸發(fā)器，也被稱為通用可編程觸發(fā)器，是數(shù)字電路中的一種重要且功能強(qiáng)大的基本存儲器件。其名稱源自其兩個輸入端口J（置位）和K（復(fù)位），以及一個關(guān)鍵的控制...

2024-08-30 標(biāo)簽：NAND JK觸發(fā)器數(shù)字電路 6214 0

瀚海微SD NAND存儲功能描述(15)命令類b

1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫部分塊，則塊長度-默認(rèn)塊長度(在CSD中給出)1...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲 SDIO接口 802 0

NAND Flash與其他類型存儲器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲器 SSD硬盤 987 0

恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動時間

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動時間。

2024-08-08 標(biāo)簽：芯片 NAND 恩智浦 791 0

瀚海微SD NAND存儲功能描述（8）專用命令CMD55 56

應(yīng)用專用命令app_cmd (CMD55) 當(dāng)卡接收到這個命令時，會使卡將下面的命令解釋為一個特定于應(yīng)用程序的命令A(yù)CMD。ACMD提供命令擴(kuò)展，具有與...

2024-08-08 標(biāo)簽：NAND 存儲 SD 1299 0

K210使用創(chuàng)世NAND flash完成火災(zāi)檢測

2024-08-10 標(biāo)簽：芯片 NAND FlaSh 739 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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