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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工藝節(jié)點之后,傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現(xiàn)更高的存儲容量,NAND集...
新型存儲技術:新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結和介紹
Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存,該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢,但是遠快于NAND類介質(zhì)。本文對該類介質(zhì)的特性及使用...
從SD卡、手機、平板等消費級產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心企業(yè)級場景,NAND Flash憑借其高性能、大容量、低功耗以及低成本等特性大受歡迎,是目前應用最為廣泛的半導...
本工作發(fā)表于FAST 2022。首次基于一家主要存儲供應商的近200萬個SSD的大量企業(yè)存儲系統(tǒng),對生產(chǎn)使用中SSD的關鍵操作特性進行了大規(guī)模的現(x...
目前金士頓DataTraveler Max閃存盤由256GB、512GB、1TB三種容量組成,還有方便與手機連接的Type-C版本(長度要短一些,只有8...
imec展示了一種基于鑭摻雜鋯酸鉿(La:HZO)的鐵電電容器。該電容器具有高耐久性(1011個周期)、高最終剩余極化強度(1.8MV/cm時2P R ...
NOR架構的布線和結構如下圖所示。每個記憶單元互相獨立,都有一段直連到地,組成一個類似NOR閘(或稱“或非門”)的電路。
2021 年,獨立內(nèi)存市場規(guī)模高達1670億美元。占整個半導體市場的 28%。相比之下,汽車存儲器市場(2021 年為 43億美元)占全球存儲器市場收入...
按照存儲介質(zhì)的不同,現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學存儲器、磁性存儲器和半導體存儲器三類。光學存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬...
拱形環(huán)形形成,具有良好的再現(xiàn)性。 特定的形狀具有良好的再現(xiàn)性。 需要采用最合適的電氣設計、結構設計和工藝設計。 YMRH將支持客戶...
存儲器是半導體的重要市場之一,其約占據(jù)了半導體近1/3的市場份額。其中,從存儲芯片細分產(chǎn)品來看,DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲芯片95%以上的...
美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單,而且不甘示弱,SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D ...
低功耗和緊湊型解決方案滿足嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存要求
2014 年,賽普拉斯推出了 HyperBus 接口,該接口利用并行和串行接口存儲器的傳統(tǒng)特性,提高了系統(tǒng)性能,簡化了設計,并顯著降低了成本。在支持 H...
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