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NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。
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雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術具有相似的高級特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個人提供了自己的一系列...
pSLC帶來的“新”存儲容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經濟性
( 作者:Swissbit AG 存儲解決方案總經理 Roger Griesemer)如今,在 NAND 閃存行業中,隨處可見存儲密度又達到新高的各種新...
閃存單元由修改的場效應晶體管(FET)組成,在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上(或從浮柵上去除)。 ...
近年來隨著NAND閃存技術的快速發展與普及,固態硬盤SSD已經逐漸成為消費者的首選。外置便攜存儲也全面改用速度更快的固態閃存,在轉存數據、備份文件等操作...
NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲器,主要是因為小型,低功耗且堅固耐用。 盡管此技術適合現代存儲,但在將其列入較大系統的一部分時,需要考慮許多重要特...
而FTL為了對上隱藏NAND閃存無法覆蓋寫的特性(先擦后寫),其內部實現也采用了類似的日志結構寫入方式
基于magnum 2測試機的NAND FLASH的測試解決方案分析
VDNF64G08RS50MS4V25-III NAND FLASH存儲器采用疊層型立體封裝工藝進行封裝,內部采用4片相同型號的塑封芯片(型號:MT29...
閃存(NAND)的數據存儲是把電子禁錮在柵極里,實際上,溫度越高,電子越活躍,越有可能跑掉一部分,時間一長,很多電子跑掉后,數據就有可能丟失。實際上JE...
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